[发明专利]应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的阻挡层

权利要求书

1.一种应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的阻挡层，其特征在于该阻挡层由基板（1）、栅电极（2）、绝缘层（3）、氧化物有源层（4）、刻蚀阻挡层（5）、源漏电极（6）层叠构成。

2.根据权利要求1所述的应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的阻挡层，其特征在于：基板（1）材料为硅片、玻璃或者陶瓷中任一种。

3.根据权利要求1所述的应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的阻挡层，其特征在于：刻蚀阻挡层(4)为苯酚-甲醛聚合物。

4.根据权利要求1所述的应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的阻挡层，其特征在于其结构层分别采用下述方法依次逐层制备，各结构层制备方法如下：

1）通过真空蒸发或溅射工艺形成一层ITO或金属作为源漏极并用光刻工艺刻蚀出图形；

2）采用磁控溅射Si把生成二氧化硅作为电介质绝缘层并用光刻工艺刻蚀出图形；

3）采用磁控溅射方法制备氧化物有源层并用光刻工艺刻蚀出图形；

4）采用旋涂技术制备刻蚀阻挡层并用光刻工艺刻蚀出图形；

5）采用真空蒸发或溅射技术制备漏源电极并用光刻工艺刻蚀出图形。

5.根据权利要求1所述的应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的阻挡层，其特征在于所述的栅极材料（2）选用Au、Al、Cu、Mo、Cr、Ti、ITO、W、Ag、Ta，采用溅射或蒸发的方法制备，源漏电极（6）材料选用Au、Ag、Mo、Al、Cu、Cr、Ti、Mg、ITO中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的阻挡层，其特征在于所述的绝缘层（3），可通过溅射或蒸发形成Ta₂O₅、Al₂O₃、SiO₂、TiO₂和SiN_1~1.5中的一种或多种材料制备的薄膜。

7.根据权利要求1所述的应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的阻挡层，其特征在于所述的氧化物有源层（4），可通过磁控溅射或蒸发形成ZnO、InGaZnO中的一种或多种材料制备的薄膜。