[发明专利]共聚物组合物、光刻介电组合物及电气或电子器件有效
申请号: | 201110146567.6 | 申请日: | 2003-07-02 |
公开(公告)号: | CN102298265A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 埃德蒙德·埃尔切;平野孝;小杰弗里·C·克罗廷;拉里·F·罗兹;布赖恩·L·古多尔;塞库马·贾亚拉曼;克里斯·麦克杜格尔;孙申亮 | 申请(专利权)人: | 住友电木株式会社 |
主分类号: | G03F7/038 | 分类号: | G03F7/038;C08F232/08;H01L23/29 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陈海涛;樊卫民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 共聚物 组合 光刻 电气 电子器件 | ||
1.含有共聚物的共聚物组合物,所述共聚物具有两个或者多个下式I的重复单元:
其中X选自O,-CH2-,和-CH2-CH2-;m是从0到5的整数;并且每次出现的R1,R2,R3和R4独立地选自下列基团之一:
(a)H,C1到C25的线性,支链和环烷基,芳基,芳烷基,烷芳基,烯基和炔基;
(b)包含一个或者多个选自O,N和Si的杂原子的C1到C25的线性,支链和环烷基,芳基,芳烷基,烷芳基,烯基和炔基;
(c)包含下式II的基团的环氧基:
其中A是选自C1到C6的线性,支链和环亚烷基的连接基团,而R23和R24独立地选自H,甲基,和乙基;
(d)包含下式III的基团的环氧基:
其中p是0到6的整数,R23和R24如上所述,并且每次出现的R21和R22独立地选自H,甲基和乙基;
(e)-(CH2)nC(O)OR5,-(CH2)nC(O)OR6,-(CH2)nOR6,-(CH2)nOC(O)R6,-(CH2)nC(O)R6和-(CH2)nOC(O)OR6;以及
(f)通过连接基团连接起来的R1,R2,R3和R4之中两个的任一组合,所述连接基团选自C1到C25的线性,支链和环亚烷基以及亚烷芳基;其中n是从1到25的整数,R5是对酸敏感的基团,并且R6选自H,C1到C6的线性,支链以及环烷基,包含如上所定义II基团的环氧基团;并且
其中一部分具有结构式I的重复单元包含至少一种环氧官能侧基。
2.包含下列成分的光刻介电组合物:
权利要求1的共聚物组合物,以及
经光子形成催化剂的材料。
3.权利要求2的光刻介电组合物,用于通过如下步骤在基质上形成光刻层:
提供基质;
用包含光刻介电组合物的组合物涂敷基质的至少一面以形成涂敷层;
将涂敷层曝光于辐射;以及
固化辐射曝光层。
4.权利要求2的光刻介电组合物,用于通过如下步骤在基质上形成光刻层:
提供基质;
通过将包含光刻介电组合物的溶液沉积在基质的至少一面以形成薄膜而使薄膜定影;
热固化溶液。
5.包含权利要求1-4中任一项组合物的低K组合物。
6.权利要求5的低K组合物,其中组合物具有小于3.3的介电常数。
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