[发明专利]单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件

权利要求书

1.一种单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件，包括：

一芯片，分为一晶体管区、一二极管区与一终端区；

一金属氧化半导体场效应晶体管，设置于该晶体管区上；

一萧特基二极管，设置于该二极管区上；以及

一终端结构，设置于该终端区，其中该终端区分隔该晶体管区与该二极管区，且该金属氧化半导体场效应晶体管与该萧特基二极管共享该终端结构。

2.如权利要求1所述的单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件，其中该终端结构环绕该金属氧化半导体场效应晶体管与该萧特基二极管。

3.如权利要求1所述的单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件，其中该金属氧化半导体场效应晶体管选自平面式金属氧化半导体场效应晶体管与沟渠式金属氧化半导体场效应晶体管所组的族群。

4.如权利要求1所述的单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件，其中该金属氧化半导体场效应晶体管选自超接面式金属氧化半导体场效应晶体管、双栅极式金属氧化半导体场效应晶体管与浮置栅极式金属氧化半导体场效应晶体管所组的族群。

5.如权利要求1所述的单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件，其中该萧特基二极管选自接合阻障式萧特基二极管与沟渠式萧特基二极管所组的族群。

6.如权利要求3所述的单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件，其中该萧特基二极管选自接合阻障式萧特基二极管与沟渠式萧特基二极管所组的族群。

7.如权利要求4所述的单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件，其中该萧特基二极管选自接合阻障式萧特基二极管与沟渠式萧特基二极管所组的族群。

8.如权利要求1所述的单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件，其中该终端结构选自保护环结构、浮置限制环结构、场板结构与具有浮置限制环的场板结构所组的族群。

9.如权利要求6所述的单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件，其中该终端结构选自保护环结构、浮置限制环结构、场板结构与具有浮置限制环的场板结构所组的族群。

10.如权利要求7所述的单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件，其中该终端结构选自保护环结构、浮置限制环结构、场板结构与具有浮置限制环的场板结构所组的族群。