[发明专利]超纯流体

权利要求书

1.将烃流体原料流氢化的方法，包括对选自ACN(常压粗石脑油)、HVN(重质直馏石脑油)、煤油、柴油、LGO(轻瓦斯油)、PGO(工艺瓦斯油)、在化学过程中产生的低聚物、从GTL过程衍生的原料流和它们的混合物中的第一原料流进行加氢处理和/或加氢精制的步骤，以获得包括具有至少5℃的沸程并具有至少500ppm的芳族化合物含量的C5-C19烃流体的第二原料流，让所述第二原料流与芳族化合物饱和催化剂在合氢的处理气体存在下和有效的芳族化合物饱和条件下进行接触，以制备包含具有至少5℃的沸程并包含低于100ppm芳族化合物的烃流体的蒸馏馏分产品；其中所述芳族化合物饱和条件包括低于1000psig的氢气分压和低于232℃的温度；并且其中所述芳族化合物饱和催化剂包括以1∶2到1∶4的重量比担载于MCM-41上的Pt和Pd的氢化-脱氢组分和包含氧化铝的粘结剂材料，并且其中载体材料和粘结剂材料的重量比是从80∶20到50∶50；并且

回收蒸馏馏分产品。

2.根据权利要求1的方法，其中所述蒸馏馏分产品为主要包括己烷的烃流体，其进一步的特征在于具有根据UV光谱分析法测得的低于1ppm的芳族化合物含量，根据ASTM D-5453无法检测到的水平的硫，和没有可由FID检测到的含氧化合物。

3.根据权利要求1的方法，其中所述蒸馏馏分产品为主要包括庚烷的烃流体，其进一步的特征在于具有根据ASTM D-5453无法检测到的水平的硫和没有可由FID检测到的含氧化合物。

4.根据权利要求1的方法，其中所述产品的沸程与所述原料流的沸程相同。

5.根据权利要求1的方法，其中所述产品没有从所述原料流异构化。

6.根据权利要求1的方法，其中所述产品不具有因为与所述氢化-脱氢组分接触所导致的异构化或裂化而产生的可检测到的物质。

7.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述产品具有低于10ppm的芳族化合物含量。

8.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述产品包括低于10ppm的含氧化合物。

9.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述产品包括低于5ppm的含氧化合物。

10.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述产品不具有由FID可检测到的水平的含氧化合物。

11.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述产品不包括由ASTMD-5453可检测到的水平的硫。

12.根据权利要求1的方法，其中所述产品是从60-150℃的并具有5到10个碳原子的蒸馏切割馏分。

13.权利要求12的方法，其中所述产品具有6到8个碳原子。

14.根据权利要求1的方法，其中所述产品是150-315℃的，具有5-40℃的沸程的，并具有9到19个碳原子的蒸馏切割馏分。

15.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述有效的芳族化合物饱和条件包括300psig到1000psig的氢气分压。

16.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述芳族化合物饱和条件包括180-220℃的温度。

17.根据权利要求1的方法，包括与NiMo或Ni接触而加氢处理和/或加氢精制所述第一原料流以获得所述第二原料流的步骤，所述第二原料流的进一步特征在于具有1ppm或更低的硫含量。

18.由权利要求1的方法制备的烃流体，其具有至少5℃的沸程并主要包括己烷，其进一步的特征在于具有根据UV光谱分析法测得的低于1ppm的芳族化合物含量，根据ASTM D-5453无法检测到的水平的硫，和没有可由FID检测到的含氧化合物。

19.由权利要求1的方法制备的烃流体，其具有至少5℃的沸程并主要包括庚烷，其进一步的特征在于不具有根据ASTM D-5453可检测到的水平的硫和由FID可检测到的含氧化合物。

20.由权利要求13或14的方法制备的烃流体，其中所述产物进一步的特征在于具有根据UV光谱分析法测得的低于1ppm的芳族化合物含量，根据ASTM D-5453无法检测到的水平的硫，和没有可由FID检测到的含氧化合物。