[发明专利]ROM器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110147412.4 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102810516A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 肖莉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/112 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | rom 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种ROM器件制造方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底内形成埋层区；
在具有埋层区的基底上形成栅极；
在所述基底的埋层区上形成金属硅化物。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底内形成埋层区采用涂源扩散方式。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在涂源扩散工艺过程中，掺杂离子的剂量为1×1015～5×1015cm-3，扩散温度为850～1050℃，扩散时间为15～60min。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述基底内形成埋层区之后，在具有埋层区的基底上形成栅极之前，还包括：
在所述基底内相邻埋层区之间形成增强隔离区。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在具有埋层区的基底上形成栅极之后，在所述基底的埋层区上形成金属硅化物之前，还包括：
在所述基底的增强隔离区除去栅极以外的区域上形成氧化层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述基底的增强隔离区除去栅极以外的区域上形成氧化层采用极性氧化方式。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述极性氧化工艺过程中，氧化温度为800℃。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述基底的埋层区上形成的金属硅化物为硅化钴。
9.一种ROM器件，其特征在于，包括：
基底；
位于基底内的埋层区；
位于具有埋层区的基底上的栅极；
位于所述基底埋层区上的金属硅化物。
10.根据权利要求9所述的ROM器件，其特征在于，还包括：
位于所述基底内相邻埋层区之间的增强隔离区；所述栅极位于所述基底的增强隔离区之上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
