[发明专利]一种光刻方法

权利要求书

1.一种光刻方法，其特征在于，包括：

提供一半导体晶片，所述晶片表面包括掩蔽层，所述掩蔽层表面光滑；

使所述晶片接触具有氧化作用的溶液，以使所述掩蔽层表面变粗糙；

在所述晶片表面形成光刻胶层，进行光刻过程。

2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述掩蔽层变粗糙后，所述光刻胶层与所述掩蔽层间的粘附力增大，以避免所述光刻胶层出现倒胶现象。

3.根据权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述晶片接触具有氧化作用的溶液后，所述掩蔽层的厚度减小至

4.根据权利要求3所述的光刻方法，其特征在于，使所述晶片接触具有氧化作用的溶液具体为，将所述晶片浸润在所述具有氧化作用的溶液中，或者采用喷雾清洗的方式，将所述具有氧化作用的溶液喷射在所述掩蔽层的表面。

5.根据权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述具有氧化作用的溶液中包括NH₄OH、H₂O₂和H₂O，其中，NH₄OH、H₂O₂和H₂O按体积比1∶1-5∶5-15混合。

6.根据权利要求5所述的光刻方法，其特征在于，将所述晶片浸润在所述具有氧化作用的溶液中的时间为5min-15min，或者采用喷雾清洗的方式，将所述具有氧化作用的溶液喷射在所述掩蔽层表面的过程持续时间为15s-45s。

7.根据权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述具有氧化作用的溶液中包括H₂O₂和H₂SO₄，其中，H₂O₂和H₂SO₄按体积比1∶5-15混合。

8.根据权利要求7所述的光刻方法，其特征在于，将所述晶片浸润在所述具有氧化作用的溶液中的时间为2min-8min，或者采用喷雾清洗的方式，将所述具有氧化作用的溶液喷射在所述掩蔽层表面的过程持续时间为10s-40s。

9.根据权利要求1-8任一项所述的光刻方法，其特征在于，使所述晶片接触具有氧化作用的溶液后，还包括：

采用去离子水冲洗所述晶片，去除所述晶片上的残留化学物质；

对采用去离子水冲洗后的晶片进行干燥处理。

10.根据权利要求9所述的光刻方法，其特征在于，所述掩蔽层为，在形成所述半导体器件的阱区之前形成的注入阻挡层，或在形成所述半导体器件的源区和漏区之前形成的注入阻挡层。