[发明专利]应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED无效

专利信息
申请号: 201110147591.1 申请日: 2011-06-02
公开(公告)号: CN102214753A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 张逸韵;汪炼成;郭恩卿;孙波;伊晓燕;王国宏 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 应用 石墨 薄膜 电流 扩展 氮化 垂直 结构 led
【权利要求书】:

1.一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,包括:

一p型金属电极,该p型金属电极包括一金属支撑衬底,以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜;

一空穴注入层,该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上;

一电子阻挡层,该电子阻挡层制作在空穴注入层上;

一发光层,该发光层制作在电子阻挡层上;

一电子限制层,该电子限制层制作在发光层上;

一电子注入层,该电子注入层制作在电子限制层上;

一电流扩展层,该电流扩展层制作在电子限制层上;

两个n型金属电极,制作在电流扩展层上,覆盖一部分电流扩展层。

2.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述p型金属电极的金属支撑衬底的材料为铜、镍、铜镍合金、铜钨合金或镍钴合金。

3.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述p型金属电极的金属反射镜的材料为镍/银/铂/金、镍/银/金、镍/银/镍/金、钛/铝/钛/金、钛/银/钛/金、铝/银/金或铝/钛/金中的一种材料。

4.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述空穴注入层选自于掺镁的p型氮化镓材料。

5.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述电子阻挡层选自于AlxGa1-xN材料,其中0≤x≤1。

6.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述发光层包括m个氮化铟镓量子阱与m+1个氮化镓量子势垒,每个氮化铟镓量子阱上下两侧都有一个氮化镓量子势垒,其中m≥1。

7.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述电子限制层选自于AlzGa1-zN材料,其中0<z<1。

8.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述电子注入层选自于掺硅的n型氮化镓材料。

9.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述电流扩展层选自于单层或多层石墨烯薄膜材料。

10.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述n型金属电极选自于包括镍/金、镍/银/金、镍/银/镍/金、镍/银/铂/金、钛/金、钛/银/金、钛/铝/钛/金、钛/银/钛/金、铝/钛/金、铬/铂/金或铬/银/金中的一种材料。

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