[发明专利]应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED无效
申请号: | 201110147591.1 | 申请日: | 2011-06-02 |
公开(公告)号: | CN102214753A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 张逸韵;汪炼成;郭恩卿;孙波;伊晓燕;王国宏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/40 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用 石墨 薄膜 电流 扩展 氮化 垂直 结构 led | ||
1.一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,包括:
一p型金属电极,该p型金属电极包括一金属支撑衬底,以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜;
一空穴注入层,该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上;
一电子阻挡层,该电子阻挡层制作在空穴注入层上;
一发光层,该发光层制作在电子阻挡层上;
一电子限制层,该电子限制层制作在发光层上;
一电子注入层,该电子注入层制作在电子限制层上;
一电流扩展层,该电流扩展层制作在电子限制层上;
两个n型金属电极,制作在电流扩展层上,覆盖一部分电流扩展层。
2.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述p型金属电极的金属支撑衬底的材料为铜、镍、铜镍合金、铜钨合金或镍钴合金。
3.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述p型金属电极的金属反射镜的材料为镍/银/铂/金、镍/银/金、镍/银/镍/金、钛/铝/钛/金、钛/银/钛/金、铝/银/金或铝/钛/金中的一种材料。
4.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述空穴注入层选自于掺镁的p型氮化镓材料。
5.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述电子阻挡层选自于AlxGa1-xN材料,其中0≤x≤1。
6.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述发光层包括m个氮化铟镓量子阱与m+1个氮化镓量子势垒,每个氮化铟镓量子阱上下两侧都有一个氮化镓量子势垒,其中m≥1。
7.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述电子限制层选自于AlzGa1-zN材料,其中0<z<1。
8.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述电子注入层选自于掺硅的n型氮化镓材料。
9.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述电流扩展层选自于单层或多层石墨烯薄膜材料。
10.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,其中所述n型金属电极选自于包括镍/金、镍/银/金、镍/银/镍/金、镍/银/铂/金、钛/金、钛/银/金、钛/铝/钛/金、钛/银/钛/金、铝/钛/金、铬/铂/金或铬/银/金中的一种材料。
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