[发明专利]用于晶片粗抛光的研磨组合物无效
| 申请号： | 201110147901.X | 申请日： | 2011-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102399496A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 吴威奇;李晏成 | 申请（专利权）人： | 台湾永光化学工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;洪燕 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 抛光 研磨 组合 | ||
1.一种用于晶片粗抛光的研磨组合物，包括：
(A)具有平均粒径为5纳米至150纳米的研磨粒子；
(B)pH稳定剂，其pKa值介于9至10之间，且该pH稳定剂的含量占该研磨粒子的7wt％至28wt％；
(C)研磨加速剂；以及
(D)水。
2.如权利要求1所述的用于晶片粗抛光的研磨组合物，其中，该研磨粒子是选自二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化铈及二氧化锆所组成的组中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的用于晶片粗抛光的研磨组合物，其中，该pH稳定剂是选自pKa值介于9至10之间的烷醇胺、无机酸及有机酸所组成的组中的一种或多种。
4.如权利要求3所述的用于晶片粗抛光的研磨组合物，其中，该pH稳定剂烷醇胺是选自单乙醇胺、二乙醇胺及三乙醇胺所组成的组中的一种或多种。
5.如权利要求3所述的用于晶片粗抛光的研磨组合物，其中，该pH稳定剂无机酸为硼酸。
6.如权利要求1所述的用于晶片粗抛光的研磨组合物，其中，该研磨加速剂是选自哌嗪、哌嗪盐、四甲基氢氧化铵及四甲基氢氧化铵盐所组成的组中的一种或多种，且该研磨加速剂的含量占该研磨粒子的11wt％至35wt％。
7.如权利要求1所述的用于晶片粗抛光的研磨组合物，其中，还包括螯合剂，其含量占该研磨粒子的5.9wt％至20wt％。
8.如权利要求1所述的用于晶片粗抛光的研磨组合物，其中，还包括表面活性剂，其含量占该研磨粒子的0.16wt％至0.18wt％。
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