[发明专利]基板及其制造方法、电路装置及其制造方法

说明书

本申请是申请日为2008年3月31日、申请号为200810088466.6、发明名称为“基板及其制造方法、电路装置及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及基板及其制造方法、电路装置及其制造方法。特别是，本发明涉及由包覆层包覆形成于基材的主面的配线的结构的基板及其制造方法。进而本发明涉及具备这样的基板的电路装置及其制造方法。

背景技术

伴随手机等电子设备的小型化及高性能化，在收纳于其内部的电路装置中，具备微细的配线的结构成为主流。参照图16说明具有配线基板107的电路装置(下述专利文献1)。

在此，通过在形成于基板107的上面的第一配线层102A上安装电路元件(半导体元件105)，构成电路装置100。

配线基板107在由玻璃环氧树脂等树脂构成的基材101的表面及背面形成有配线层。在此，在基材101的上面形成有第一配线层102A及第二配线层102B。第一配线层102A和第二配线层102B经由绝缘层103层叠。在基材101的下面，经由绝缘层103层叠有第三配线层102C及第四配线层102D。另外，各配线层通过贯通绝缘层103设置的连接部104在规定的部位连接。另外，第二配线层102B和第三配线层102C通过贯通基材101设置的连接部104在规定的部位连接。在此，配线基板107的厚度例如为1mm左右。

另外，作为最上层的配线层的第一配线层102A由包覆层109包覆。而且，电连接区域(连接金属细线108的部分)的第一配线层102A从部分地除去包覆层109而设置的开口部露出。在此，包覆层109例如由环氧树脂等树脂材料构成。

在包覆层109的上面粘固有半导体元件105。在此，半导体元件105的下面使用绝缘性粘接剂等粘固。而且，半导体元件105的上面设置的电极经由金属细线108与第一配线层102A电连接。

另外，按照包覆半导体元件105及金属细线108的方式将配线基板107的上面由密封树脂106包覆。

上述构成的配线基板107的制造方法如下。首先，在由环氧树脂等树脂类材料构成的基材101的上面及下面形成第二配线层102B及第三配线层102C。这些配线层通过粘接的导电膜的蚀刻或选择性的镀敷处理而形成。另外，形成贯通基材101将第二配线层102B和第三配线层102C连接的连接部104。其次，利用由树脂构成的绝缘层103将第二配线层102B及第三配线层102C包覆。进而在绝缘层103的表面形成第一配线层102A及第四配线层102D。这些配线层的形成方法与上述的第二配线层102B等相同。另外，形成贯通绝缘层103将第一配线层102A和第二配线层102B连接的连接部104。另外，按照覆盖作为最上层的配线层的第一配线层102A的方式形成包覆层109，并按照使成为电连接区域的部分的第一配线层102A露出到外部的方式将包覆层109部分除去，设置开口部。

但是，在上述构成的电路装置100中，存在最上层的第一配线层102A和包覆层109的粘着性不足的问题。具体而言，当在半导体元件105上集成的电路的规模增大时，伴随半导体元件105的动作的发热量增大。而且，由铜等金属构成的第一配线层102A和由树脂构成的包覆层109的热膨胀系数大大不同，因此，在两者的界面产生热应力。由于在两者的界面多次施加热应力，从而包覆层109可能从第一配线层102A剥离。

解决该问题的方法记载于下述专利文献2中。参照图17说明该技术事项。在此，在绝缘性基板110的上面形成有导体电路111。另外，为避免导体电路111和绝缘树脂部的热膨胀系数差引起的问题，在导体电路111的表面形成均匀的粗糙度的凹凸。

具体而言，专利文献2中，为实现上述构成，使用含过氧化氢和硫酸和四唑等的蚀刻液进行导体电路111的构图。由此，在蚀刻工序中，化合物112附着于导体电路111的表面。其结果是，从附着有化合物112的部分以外一样地进行蚀刻，在导体电路111的表面形成均匀的凹凸。由此，导体电路111和其它树脂制部件的粘着强度提高，避免了两者剥离的问题，以上的情况记载于下记专利文献2中。

专利文献1：(日本)特开2003-324263号公报

专利文献2：(日本)特开2002-76610号公报

但是，在上述专利文献2记载的技术事项中，存在导体电路111从抗焊剂剥离的问题。图18(A)是表示导体电路111的周边部附近的剖面图，图18(B)是表示包覆层114(抗焊剂)从导体电路111剥离的状态的剖面图。