[发明专利]基于有机过程的无机薄膜太阳电池的制备方法无效
申请号: | 201110148221.X | 申请日: | 2011-06-03 |
公开(公告)号: | CN102810595A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 徐文清;曲胜春;张君梦;谭付瑞;刘孔;王占国;屈盛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所;欧贝黎新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 有机 过程 无机 薄膜 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一种基于有机过程的无机薄膜太阳电池的制备方法,它包括以下步骤:
1):采用有机金属热分解法制备CdTe纳米晶体:将氧化镉、油酸及三辛基氧化膦的混合物加热至澄清透明形成镉的前驱体,以三辛基膦及碲粉的混合物为碲的前驱体;将碲前驱体迅速注入镉前驱体中,反应得到CdTe纳米晶体。
2):采用有机金属热分解法制备CdS纳米晶体:将氧化镉、油酸及三辛基氧化膦的混合物加热至澄清透明形成镉的前驱体,以三辛基膦及硫粉的混合物为硫的前驱体;将硫前驱体迅速注入镉前驱体中,反应得到CdS纳米晶体。
3):制备ZnO纳米颗粒:将氢氧化钾的甲醇溶液逐滴加入至60℃的乙酸锌的甲醇溶液中,在不断搅拌下维持60℃反应生成氧化锌纳米颗粒。
4):将步骤1)中得到的CdTe纳米晶体及CdS纳米晶体洗涤后,分别加入一定量吡啶在110℃下回流进行配体置换;然后再次洗涤后分散在吡啶中,得到CdTe、CdS纳米晶体“墨水”;将步骤2)中得到的ZnO纳米颗粒用甲醇洗涤后分散在正丁醇中,得到ZnO纳米晶体“墨水”。
5):采用旋涂法将步骤3)中得到的CdTe、CdS纳米晶体“墨水”旋涂在涂有PEDOT:PSS的ITO玻璃上,依次得到CdTe、CdS薄膜;然后旋涂ZnO纳米晶体“墨水”得到ZnO薄膜。
6):采用热蒸发的方法蒸镀铝电极,得到无机薄膜太阳电池。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤1)中氧化镉与碲粉的摩尔数比值为2∶1,氧化镉、油酸及三辛基氧化膦的摩尔数比值为1∶6∶5,三辛基膦与碲粉摩尔数比值为5.6∶1;反应温度为260℃,反应时间为5min。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤1)中CdTe纳米晶体为直径5nm的量子点。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤2)中氧化镉与硫粉的摩尔数比值为2∶1,氧化镉、油酸及三辛基氧化膦的摩尔数比值为1∶6∶5,三辛基膦与硫粉摩尔数比值为5.6∶1;反应温度为260℃,反应时间为15min。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤2)中CdS纳米晶体为直径为10nm的量子点。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤3)中氢氧化钾的甲醇溶液浓度为0.43mmol/ml,乙酸锌的甲醇溶液浓度为0.108mmol/ml。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤4)中CdTe纳米晶体“墨水”的浓度为100mg/ml,CdS纳米晶体“墨水”的浓度为70mg/ml,ZnO纳米晶体“墨水”的浓度为40mg/ml。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤5)中CdTe薄膜厚度为150nm,CdS薄膜厚度为80nm,ZnO薄膜厚度为40nm。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤6)中铝电极厚度为100-120nm之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的