[发明专利]基于有机过程的无机薄膜太阳电池的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110148221.X 申请日: 2011-06-03
公开(公告)号: CN102810595A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 徐文清;曲胜春;张君梦;谭付瑞;刘孔;王占国;屈盛 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所;欧贝黎新能源科技股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 有机 过程 无机 薄膜 太阳电池 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于有机过程的无机薄膜太阳电池的制备方法,它包括以下步骤:

1):采用有机金属热分解法制备CdTe纳米晶体:将氧化镉、油酸及三辛基氧化膦的混合物加热至澄清透明形成镉的前驱体,以三辛基膦及碲粉的混合物为碲的前驱体;将碲前驱体迅速注入镉前驱体中,反应得到CdTe纳米晶体。

2):采用有机金属热分解法制备CdS纳米晶体:将氧化镉、油酸及三辛基氧化膦的混合物加热至澄清透明形成镉的前驱体,以三辛基膦及硫粉的混合物为硫的前驱体;将硫前驱体迅速注入镉前驱体中,反应得到CdS纳米晶体。

3):制备ZnO纳米颗粒:将氢氧化钾的甲醇溶液逐滴加入至60℃的乙酸锌的甲醇溶液中,在不断搅拌下维持60℃反应生成氧化锌纳米颗粒。

4):将步骤1)中得到的CdTe纳米晶体及CdS纳米晶体洗涤后,分别加入一定量吡啶在110℃下回流进行配体置换;然后再次洗涤后分散在吡啶中,得到CdTe、CdS纳米晶体“墨水”;将步骤2)中得到的ZnO纳米颗粒用甲醇洗涤后分散在正丁醇中,得到ZnO纳米晶体“墨水”。

5):采用旋涂法将步骤3)中得到的CdTe、CdS纳米晶体“墨水”旋涂在涂有PEDOT:PSS的ITO玻璃上,依次得到CdTe、CdS薄膜;然后旋涂ZnO纳米晶体“墨水”得到ZnO薄膜。

6):采用热蒸发的方法蒸镀铝电极,得到无机薄膜太阳电池。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤1)中氧化镉与碲粉的摩尔数比值为2∶1,氧化镉、油酸及三辛基氧化膦的摩尔数比值为1∶6∶5,三辛基膦与碲粉摩尔数比值为5.6∶1;反应温度为260℃,反应时间为5min。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤1)中CdTe纳米晶体为直径5nm的量子点。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤2)中氧化镉与硫粉的摩尔数比值为2∶1,氧化镉、油酸及三辛基氧化膦的摩尔数比值为1∶6∶5,三辛基膦与硫粉摩尔数比值为5.6∶1;反应温度为260℃,反应时间为15min。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤2)中CdS纳米晶体为直径为10nm的量子点。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤3)中氢氧化钾的甲醇溶液浓度为0.43mmol/ml,乙酸锌的甲醇溶液浓度为0.108mmol/ml。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤4)中CdTe纳米晶体“墨水”的浓度为100mg/ml,CdS纳米晶体“墨水”的浓度为70mg/ml,ZnO纳米晶体“墨水”的浓度为40mg/ml。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤5)中CdTe薄膜厚度为150nm,CdS薄膜厚度为80nm,ZnO薄膜厚度为40nm。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤6)中铝电极厚度为100-120nm之间。 

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