[发明专利]一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法有效
| 申请号： | 201110148557.6 | 申请日： | 2011-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102214571A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 陈建平 | 申请（专利权）人： | 江苏威斯特整流器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212314 江苏省丹阳市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 zk7000a 恢复 整流二极管 生产 方法 | ||
1.一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法，其特征在于：其工艺步骤如下：硅片清洗、三氯氧磷扩散、单面磨片、扩硼、套片、硅片蒸铝、钼元蒸金、烧结、芯片蒸金、合金、磨角、腐蚀、保护、电子辐照、退火。
2.如权利要求1所述的一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法，其特征在于：其中三氯氧磷扩散工艺步骤为：将清洗干净硅片插入硅舟，缓缓推入特定温度的扩散炉温区中，，氧气携带冰点POCL3杂质源扩散一定时间，使其结深控制在18±2um。
3.如权利要求1所述的一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法，其特征在于：其中扩硼工艺步骤为：将清洗干净硅片磨片面涂一层硼铝杂质源，烘干，阳阳对叠，放入硅舟，推入特定温度的扩散炉中，扩散一定时间，使其结深控制在60um。
4.如权利要求1所述的一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法，其特征在于：其中芯片蒸金工艺步骤为：将清洗干净的钨丝、金丝和所需蒸金片一起装入蒸发炉，待真空抽至5×10-3Pa时，调节蒸发电源从观察孔观察，待金丝完全溶化，蒸发完成后关闭蒸发电源，待温度冷却后充气出炉。
5.如权利要求1所述的一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法，其特征在于：其中合金的工艺步骤为：将蒸发合格的芯片阳对阳叠好，中间用石墨片间隔，放进烧结炉，待炉温升至850℃左右，真空度达到5×10-3Pa时降机退火合金，合金温度控制在430℃左右，恒温时间15分钟后关加热电源，炉温降至150℃时充气出炉。
6.如权利要求1所述的一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法，其特征在于：其中腐蚀工艺步骤：将芯片阴极除台面处用黑胶保护后，在旋转腐蚀机上，腐蚀15-20″，腐蚀液由发烟硝酸、氢氟酸、磷酸、冰乙酸配比而成。
7.如权利要求1或2所述的一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法，其特征在于：在三氯氧磷扩散工艺中扩散炉温区的温度为1210℃，温区误差±1℃。
8.如权利要求1或3所述的一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法，其特征在于：在扩硼工艺中，扩散炉温区温度为1260℃，温区内误差±1℃。
9.如权利要求1或6所述的一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法，其特征在于：在腐蚀工艺中，腐蚀液配比发烟硝酸∶氢氟酸∶磷酸∶冰乙酸＝3∶2∶1∶1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏威斯特整流器有限公司，未经江苏威斯特整流器有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110148557.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带固定卡座的半圆塑料管挤出口模
- 下一篇：一种新型螺杆往复式挤压注塑设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
