[发明专利]一种采用电场增强层的阻变存储器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，其特征在于，所述的阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于所述顶电极与所述底电极之间的由第一层电阻转变层和第二层电阻转变层兼电场增强层组成的叠层；

所述的第二层电阻转变层兼电场增强层和第一层电阻转变层相邻，并具有比所述第一层电阻转变层低的介电常数。

2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述的第二层电阻转变层兼电场增强层的材料为SiO₂或Al₂O₃。

3.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述的第一层电阻转变层材料为HfO₂、ZrO₂、或Nb₂O₅，或者为其三元混合介质材料。 

4.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述的底电极材料为Pt/Ti、Au/Ti、TiN、Ru或Cu。 

5.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述的顶电极材料为Al、Pt、Ru、TiN或TaN。

6.一种阻变存储器的制造方法，其特征在于具体步骤包括：

在基底上形成阻变存储器的底电极；

在所述底电极上形成第一层阻变功能介质层；

在所述一层阻变功能介质层上形成第二层阻变功能介质层，该层兼电场增强层；

在所述电阻转变层兼电场增强层上形成阻变存储器的顶电极。

7.根据权利要求6所述的阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述的底电极由Pt/Ti、Au/Ti、TiN、Ru或Cu材料制备。

8.根据权利要求6所述的阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述的第一层阻变功能介质层由HfO₂、ZrO₂或Nb₂O₅，或者其三元混合介质材料形成。

9.根据权利要求6所述的阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述的电阻转变层兼电场增强层由SiO₂、Al₂O₃等低介电常数材料形成。

10.根据权利要求6所述的阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述的顶电极由Al、Pt、Ru、TiN或TaN材料制备。