[发明专利]带有热应力释放结构的键合晶圆及激光划片工艺

权利要求书

1. 一种带有热应力释放结构的键合晶圆，包括相互贴合的玻璃晶圆和硅片晶圆，其特征在于：所述键合晶圆的键合接触面附近开设有用于激光划片的热应力释放结构，所述热应力释放结构沿拟定的激光划片轨迹对应设置。

2. 根据权利要求1所述的带有热应力释放结构的键合晶圆，其特征在于：所述热应力释放结构为热应力释放凹槽。

3. 根据权利要求2所述的带有热应力释放结构的键合晶圆，其特征在于：所述热应力释放凹槽开设于靠近所述键合接触面的玻璃晶圆和/或硅片晶圆上。

4. 根据权利要求2或3所述的带有热应力释放结构的键合晶圆，其特征在于：所述热应力释放凹槽的宽度大于拟定的激光划片轨迹的宽度；所述热应力释放凹槽的深度为微米级。

5. 根据权利要求4所述的带有热应力释放结构的键合晶圆，其特征在于：所述热应力释放凹槽的深度为5微米～10微米。

6. 一种激光划片工艺，包括以下步骤：

（1）加工热应力释放结构：利用湿法腐蚀工艺或者干法刻蚀工艺，在一硅片晶圆和/或一玻璃晶圆上靠近键合接触面的一侧开设热应力释放凹槽，并使所述热应力释放凹槽沿拟定的激光划片轨迹对应布置；

（2）键合：利用键合工艺完成所述的硅片晶圆和玻璃晶圆的键合，得到键合晶圆；

（3）激光划片加工：先用旋转激光束在所述键合晶圆的玻璃晶圆表面沿拟定的激光划片轨迹进行激光划片，划穿后形成一与所述热应力释放凹槽相连通的划槽；然后用非旋转激光束沿所述划槽对硅片晶圆表面进行激光划片；最后通过裂片方式使键合晶圆上的芯片分离，完成划片工艺。

7. 根据权利要求6所述的激光划片工艺，其特征在于：用旋转激光束在对玻璃晶圆进行激光划片过程中，所述旋转激光束沿拟定的激光划片轨迹完成多次的激光划片行程；用非旋转激光束在对硅片晶圆进行激光划片过程中，所述非旋转激光束沿拟定的激光划片轨迹完成一次激光划片行程。

8. 根据权利要求6或7所述的激光划片工艺，其特征在于：所述热应力释放凹槽的宽度大于拟定的激光划片轨迹的宽度；所述热应力释放凹槽的深度为微米级。