[发明专利]提供对应于能量辅助磁记录换能器的近场换能器的电子研磨引导的系统和方法有效
申请号: | 201110148873.3 | 申请日: | 2011-05-27 |
公开(公告)号: | CN102354503A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | Y·胡;Z·王;J·李 | 申请(专利权)人: | 西部数据(弗里蒙特)公司 |
主分类号: | G11B5/127 | 分类号: | G11B5/127;G11B5/23 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提供 对应 能量 辅助 记录 换能器 近场 电子 研磨 引导 系统 方法 | ||
背景技术
图1示出常规的能量辅助磁记录(EAMR)换能器10的一部分。常规EAMR换能器10用于对记录介质30写入。为此,常规EAMR换能器10从常规激光器(图1中未示出)接收光或者能量。常规EAMR换能器10包括常规波导12、常规磁极14、和常规近场换能器(NFT)16、以及光栅20。常规NFT 16包括盘片部分16B和销钉部分16A。盘片部分16B在垂直于纸平面的方向上比销钉部分16A宽。尽管称为“盘片部分”,部分16B可以具有不同于圆形的形状。另外示出位于光栅20上的激光斑点22。可以是常规EAMR换能器10的一部分的其它部件未被示出。
在工作中,来自光栅20上的斑点22的光被耦合到常规波导12。常规波导12将光引导到气垫面(ABS)附近的常规NFT 16。常规NFT 16将来自波导12的能量聚焦到介质30上的光学斑点32。常规介质30的小区域被斑点32加热。该区域在磁性方便变得更软。常规EAMR换能器10通过激励常规磁极14将数据磁性地写入记录介质的加热区域。
尽管常规EAMR换能器10可以起作用,但是存在缺陷。常规NFT 16的尺寸设计希望被仔细控制。例如,可以期望控制常规NFT 16的销钉部分16A的长度。这可以通过控制盘片部分16B的直径和从ABS到盘片部分16B的距离实现。这种控制可能很难使用常规制造方法实现。因此,常规换能器10的制造可能具有挑战性。
因此,需要一种改进EAMR换能器的制造的系统和方法。
发明内容
本发明描述制造具有气垫面(air-bearing surface,ABS)的换能器的方法和系统。所述方法和系统包括提供至少一个近场换能器(near-field transducer,NFT)膜和提供与至少一个NFT膜的一部分大致共面的电子研磨引导(ELG)膜。所述方法和系统还包括从至少一个NFT膜的一部分限定NFT的盘片部分和从ELG膜限定至少一个ELG。该盘片部分对应于NFT离ABS位置的临界尺寸。所述方法和系统还包括研磨至少一个换能器。基于来自ELG的信号研磨终止。
附图说明
图1示出常规EAMR换能器;
图2是示出EAMR换能器的制造方法的示例实施方式的流程图;
图3示出制造期间的磁记录换能器的示例实施方式的一部分;
图4示出制造期间的磁记录换能器的另一示例实施方式的一部分;
图5是示出磁记录换能器的制造方法的另一示例实施方式的流程图;
图6-图16示出制造期间的EAMR换能器的示例实施方式的平面图、截面图、以及ABS图。
具体实施方式
图2是提供包括近场换能器(NFT)的EAMR换能器的示例实施方式。为了简化,一些步骤可能被省略。方法100在提供单个EAMR换能器的上下文中描述。然而,方法100可以用于大致同时制造多个换能器。方法100还在特定结构的上下文中描述。结构或者层可以包括多个材料和/或多个子层并且可以使用多个子步骤形成。此外,方法在对应于一个换能器的一个电子研磨(lapping)引导(ELG)的上下文中描述。然而,在一些实施方式中,一个ELG可以对应于多个换能器。或者,单个换能器可以对应于多个ELG。方法100还可以在形成EAMR换能器的其它部分之后开始。例如,方法100可以在形成EAMR头的读取换能器和光波导之后开始。另外,该方法可以与形成EAMR换能器的其它部分交叉。例如,可以在方法100的步骤106和108之间形成包括主磁极或柱(pole)、返回磁极、(若干)线圈和(若干)屏蔽罩的写入器。
通过步骤102,为换能器提供至少一个NFT膜。(若干)NFT膜可以 毡状沉积在将形成NFT的区域中。在一些实施方式中,可以为单个NFT使用多个膜。例如,作为步骤102的一部分可以沉积夹在两个金膜之间的Ru膜。在其它实施方式中,可以使用单个膜,诸如单个金膜。在其它实施方式中可以为NFT膜使用其它材料。步骤102可以包括在将驻留在波导的核与NFT之间的光学透明材料的薄层上沉积(若干)NFT膜。例如,(若干)NFT膜可以沉积在将组成顶部包层的一部分的氧化铝层上。
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