[发明专利]同端进出式连续溅射镀膜设备有效
申请号: | 201110149168.5 | 申请日: | 2011-06-03 |
公开(公告)号: | CN102181839A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 王德苗;金浩;顾为民;任高潮;沈小虎;冯斌;周剑 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/56 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所 33213 | 代理人: | 吴秉中 |
地址: | 310009 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 进出 连续 溅射 镀膜 设备 | ||
技术领域
本发明属于溅射镀覆技术领域,特别是涉及一种用于电子器件的同端进出式连续溅射镀膜设备。
背景技术
几乎所有电子器件都要对其一个或多个表面镀以金属薄膜,以便进行电极制作等后续工艺。现有技术多是采用炉装式真空蒸发镀膜,其缺点是蒸镀的薄膜与基片的结合力差、薄膜的均匀性与一致性不佳、生产效率低下,容易导入操作工的人为因素影响。中国200610049197.3号专利公布了一种连续式溅射设备,该设备由预抽室、前过渡室、溅射室、后过渡室和减压室五个真空腔体以及进片台、出片台、工件架返回装置等构成,工件架依次通过进片台、预抽室、前过渡室、溅射室、后过渡室和减压室被输送出机体到达出片台,再由体外的工件架返回装置将工件架传输回进片端,该设备的缺陷在于:由于工件架是从设备一端进,另一端出,真空腔体多,设备庞大,造价高,占地面积大;为了防止被灰尘污染,电子器件的生产一般都需要将工件架、进出片台处在超净环境中进行,由于该设备庞大,还带有一个很长的体外片架返回装置,相应需要一个体积庞大、运转费用高昂的超净室,所以,双端设备的能耗较大、运转费用昂贵,不符合节能减排的时代要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种吞吐量大、结构紧凑、占地面积少、能耗低、造价低廉的同端进出式连续溅射镀膜设备。
本发明的目的是采用这样的技术方案实现的:它包括真空腔体和真空抽气装置,所述真空抽气装置与真空腔体相连通,其特征在于所述真空腔体由相邻且相通的预抽室和溅射室两个真空室构成,两个真空室之间设有隔离阀,腔体的末端和前端分别设有盲法兰和真空锁阀,所述真空锁阀外侧设有一个装卸片台,在溅射室内设置有可往复传输的工件架传输装置,在预抽室内装有复合传输装置,所述溅射室内装有至少三对相对布置的磁控溅射靶,所述工件架传输装置能够与工件架相配合,并能将工件架从装卸片台依次输送到预抽室、溅射室,并从原路输回到所述装卸片台。
由于本发明所述的复合传输装置可来回往复传输工件架,工件架从同端进、出,不仅省去了几只大型真空腔体和一个机构庞大的片架返回装置,而且,只要在装卸片台一侧设置很小的超净台就能满足工艺需要,所以,在同等吞吐量的前提下,设备的占地面积、能耗以及制造成本都大幅度降低。预抽室中设置了一个带有清洗器的、能装多个片架的复合传输装置,可以有效利用时间对基片进行实时清洗除气,当一个片架镀完膜层后,预抽室中等待的片架可立即送进溅射室进行溅射,所以其吞吐量并不亚于双端式生产线。所述溅射室设有多对磁控溅射靶,能在同一真空周期内向基片镀覆多层膜,它是一种结构紧凑、占地面积小、吞吐量大、造价低、能耗低、连续进行电子器件表面金属化的理想设备。
附图说明
图1为本发明的结构原理示意图。
图2是本发明的局部俯视示意图。
图3为本发明的局部剖视结构示意图。
附图标号说明:1—真空腔体,2—溅射室,2a、2b、2c—磁控溅射靶,2d-溅射室的工件传输导轨,3-真空隔离阀,4-预抽室,4a-预抽室的底法兰,4b-预抽室的侧法兰,5-真空锁阀,6a、6b-驱动导轨,6c、6d—摩擦式驱动轮,6e、6f-横档,6g、6h-可逆电机,6i、6j-直线导轨,6ia-滑块,6ib-滑轨, 6k-平移器,6ka-平移器的轴,6kb-螺杆式或气缸式平移驱动器,6l-同步轮,6m-驱动轴,6n-轴承,6p、6q-带凸台的法兰板,6r、6s-螺钉,7-装卸片台,8-支架,8a-支架的直档,8b-支架的横档,8c、8d-槽钢型上导轨,8e、8f-屏蔽板,8g-灯管或不锈钢网,8h-电极引线,9-工件架,9a-不锈钢板,9b-装片框架,10、15-充气阀,11、14—真空抽气装置,12-放大气阀,16-盲法兰。
具体实施方式
参见图1和图2:本发明包括真空腔体1和真空抽气装置11、14等,所述真空抽气装置11、14为市售商品,它们采用公知方式与真空腔体1相连通。所述真空腔体1由依次相邻、且相通的预抽室4和溅射室2两个真空室构成,两个真空室之间设有真空隔离阀3,腔体1的末端和前端分别设有盲法兰16和真空锁阀5,所述真空锁阀5的外侧设有一个装卸片台7,在溅射室2和预抽室4内分别设置有可往复传输的工件架传输装置和复合传输装置,所述溅射室2内至少装有三对相对布置的磁控溅射靶,所述复合传输装置与工件架9相配合。
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