[发明专利]一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法

权利要求书

1.一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法，其特征在于采用分步电镀法在基板上电镀三元无铅焊料，分为两大步：

A.采用IC工艺制备基板：

首先将硅片进行热氧化处理形成一层SiO₂，随后正面溅射Al金属导电层，光刻腐蚀形成铝焊盘，之后利用PECVD再沉积一层SiO₂钝化层，并光刻、干法腐蚀出钝化层开口，露出吕焊盘；之后溅射TiW/Cu分别作为粘附层和电镀种子层；

B.在所属的基板上制作凸点：

在步骤A制作的基板上接着进行厚胶光刻，并光刻出电镀窗口，然后依次电镀Cu、Sn-Ag和In焊料，电镀完毕后由湿法腐蚀方法去除厚胶和多余的种子层金属，最后回流焊料形成凸点。

2.按权利要求1所属的方法，其特征在于具体步骤是：

A.采用IC工艺制备基板：

(1)首先将单面抛光N型或P型(100)硅片进行标准清洗，然后进行热氧化处理生成，氧化硅层；

(2)正面真空溅射Al导电层，且Al导电层与步骤(1)生成的氧化硅层间有良好的粘附性；

(3)采用正型光刻胶LC100A光刻出Al焊盘图形，并在H₃PO₄溶液中进行Al腐蚀，形成Al焊盘；

(4)PECVD沉积SiO₂钝化层，之后光刻出钝化层开口图形并采用IBE干法刻蚀形成钝化层开口；

(5)真空溅射金属粘附层TiW和电镀种子层Cu；

B.在所述的基板上制作凸点：

(1)涂覆AZ9260型厚光刻胶，随后曝光，最后显影，制作出电镀窗口；

(2)在室温条件下依次电镀凸点下金属层Cu、Sn-Ag焊料和In焊料，镀层厚度分别为3-5微米、40～41微米和4～5微米；电镀之前打底膜以去除残留光刻胶等有机杂质，电镀完毕由湿法腐蚀方法去除厚光刻胶；

(3)室温下由湿法腐蚀去除多余种子层和金属粘附层，腐蚀溶液为15vol.％H₂O₂+85vol.％NH₃·H₂O，该溶液对Sn-Ag和In焊料均无腐蚀性；

(4)涂覆5RMA型铟助焊剂后回流，采用五段式回流炉，选用氮气气氛，各温区温度值分别为80℃、160℃、200℃、260℃和80℃，每个温区保温时间30秒，相邻两温区时间间隔15秒，回流后去除残留助焊剂，最后依次用丙酮、无水乙醇和水彻底清洗凸点。

3.按权利要求2所述的方法，其特征在于所述的A步骤中：

a)所述的热氧化处理工艺为湿法或干法，SiO₂层厚度为0.5-1.0微米；

b)所述的真空溅射的Al导电层厚度为0.5-2.0微米；

c)步骤(3)中所述的H₃PO₄溶液中腐蚀温度为45℃；

d)所述的PECVD沉积的SiO₂钝化层厚度为0.2-1.0微米；采用干法刻蚀形成钝化层开口的刻蚀速率为0.06μm/mm，刻蚀时间为6分钟；

e)步骤(5)中真空溅射的金属粘附层厚度为0.05-0.1微米，作为电镀种子层的Cu层厚度为0.2-0.5微米；

f)所述的基板包括热氧化硅片、金属Al导电层、SiO₂钝化层和金属种子层组成。

4.按权利要求3所述的方法，其特征在于所述的SiO₂钝化层开口直径为70微米。