[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示器技术，特别是指一种薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD，Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)阵列基板及其制造方法。

背景技术

TFT-LCD由于具有体积小、功耗低、以及无辐射等优点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。高级超维场开关技术(AD-SDS，Advanced-Super Dimensional Switching)，是目前研发的热点，其通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。

目前，通过一组构图工艺形成薄膜图形的方法制造AD-SDS型TFT-LCD阵列基板。现在技术采用五次构图工艺形成AD-SDS型TFT-LCD阵列基板，具体的工艺过程可以有多种，其中的一种工艺过程具体包括：首先，通过第一次构图工艺形成透明像素电极；通过第二次构图工艺形成栅电极；然后依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属层，采用灰色调或半色调掩模板通过第三次构图工艺形成数据线、有源层、源漏电极和TFT沟道图形；接着沉积钝化层，通过第四次工艺在钝化层上形成过孔；最后沉积透明导电层，通过第五次构图工艺形成公共电极。其中，每次构图工艺均需要把掩模板的图形转移到薄膜图形上，如此，在AD-SDS型TFT-LCD阵列基板制作过程中，会造成使用的掩模板的数量较多，进而造成生产成本较高；而且，每一层薄膜图形都需要精确地罩在另一层薄膜图形上，如此，还会导致生产时间较长，进而会造成生产效率较低。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，能在降低生产成本的同时，提高生产效率。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，该方法包括：

步骤a，通过第一次构图工艺在基板上形成栅线及栅电极；

步骤b，通过第二次构图工艺形成数据线、绝缘层、有源层、源电极、漏电极、TFT的沟道，并在第一钝化层形成过孔；

步骤c，通过第三次构图工艺形成像素电极；

步骤d，通过第四次构图工艺形成第二钝化层及有间隔的公共电极。

上述方案中，所述步骤a，具体包括：

在基板上沉积第一金属薄膜，通过光刻工艺及刻蚀工艺形成栅线及栅电极。

上述方案中，所述步骤b，具体包括：

在完成步骤a的基板上依次沉积绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、第二金属薄膜以及第一钝化层；

在第一钝化层上涂覆一层光刻胶，采用带有狭缝的掩模板进行曝光、显影处理、及第一次刻蚀处理，暴露出不形成数据线、源电极、以及漏电极的区域的绝缘层；

进行第一次灰化处理及第二次刻蚀处理，形成数据线、源电极、漏电极及TFT的沟道；

进行第二次灰化处理、第三次刻蚀处理、以及剥离工艺，在第一钝化层上形成过孔。

上述方案中，所述步骤c，具体包括：

在完成步骤b的基板上沉积第一透明导电薄膜，通过光刻工艺及刻蚀工艺形成像素电极。

上述方案中，所述步骤d，具体包括：

在完成步骤c的基板上依次沉积第二钝化层及第二透明导电薄膜，通过对第二透明导电薄膜进行光刻工艺及刻蚀工艺，形成有间隔的公共电极。

本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板，该阵列基板包括：基板，通过第一次构图工艺形成的栅线、栅电极，通过第二次构图工艺形成的数据线、绝缘层、有源层、源电极、漏电极、TFT的沟道、第一钝化层，通过第三次构图工艺形成的像素电极，以及通过第四次构图工艺形成的第二钝化层、有间隔的公共电极。

上述方案中，栅线及栅电极形成在基板上，绝缘层形成在栅电极上，并覆盖整个基板，有源层形成在绝缘层上，源电极及漏电极形成在有源层上，第一钝化层形成在源、漏电极上，且第一钝化层上形成有过孔，像素电极形成在第一钝化层上，并通过过孔与漏电极相连接，第二钝化层形成在像素电极上，并覆盖整个基板，公共电极形成在第二钝化层上。

上述方案中，所述栅线及栅电极的厚度为和/或，