[发明专利]可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法无效
| 申请号： | 201110150124.4 | 申请日： | 2011-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102276156A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 阮洪良;阮泽云 | 申请（专利权）人： | 福莱特光伏玻璃集团股份有限公司;上海福莱特玻璃有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/00 | 分类号： | C03C17/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 314001 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可钢化 low 镀膜 玻璃 制造 方法 | ||
1.一种可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其基片镀膜采用离线真空溅射法，其特征在于：镀膜靶材中使用非金属可燃高含量炭，并在真空工作室内将高含量炭靶设为最后工序。
2.根据权利要求1所述的可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其特征在于：所述的非金属可燃高含量炭的炭含量≥99%，所述的非金属可燃高含量炭膜的厚度为20-35um。
3.根据权利要求1或2所述的可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其特征在于：所述的离线真空溅射法中玻璃基片置在架子上，并送入10-1帕数量级的真空环境中，通入适量的工艺气体如：惰性气体Ar或反应气体O2、N2，并保持真空度稳定；将靶材依次嵌入阴极，其中非金属可燃高含量炭最后嵌入，并在与阴极垂直的水平方向置入磁场从而构成磁控靶；以磁控靶为阴极，加上直流或交流电源，在高电压的作用下，工艺气体发生电离，形成等离子体，其中，电子在电场和磁场的共同作用下，进行高速螺旋运动，碰撞气体分子，产生更多的正离子和电子；正离子在电场的作用下，达到一定的能量后撞击阴极靶材，被溅射出的靶材沉积在玻璃基片上形成薄膜。
4.根据权利要求3所述的可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其特征在于：为了形成均匀一致的膜层，阴极靶靠近玻璃基片表面来回移动。
5.根据权利要求3所述的可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其特征在于：所述的靶材中包括银、铜或锡金属或其化合物组成的薄膜系。
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