[发明专利]光源模块、背光单元、显示设备以及照明设备有效
申请号: | 201110150273.0 | 申请日: | 2011-06-03 |
公开(公告)号: | CN102330914A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 朴一雨;郭昌勋;李孝珍 | 申请(专利权)人: | 三星LED株式会社 |
主分类号: | F21S8/00 | 分类号: | F21S8/00;F21V19/00;F21V9/10;F21Y101/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 丁业平;金小芳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光源 模块 背光 单元 显示 设备 以及 照明设备 | ||
1.一种使用量子点的光源模块,所述光源模块包括:
发光器件组件,该发光器件组件包括基板和安装在所述基板上的多个发光器件芯片;以及
量子点密封组件,该量子点密封组件设置在所述发光器件组件上并处于发光方向上,并且该量子点密封组件包括密封部件和被所述密封部件所密封的量子点。
2.权利要求1所述的光源模块,其中所述量子点密封组件是被直接粘合到所述发光器件组件上的。
3.权利要求1所述的光源模块,其中所述量子点密封组件与所述发光器件组件是分开的。
4.权利要求3所述的光源模块,该光源模块还包括支持部件,该支持部件用于支持所述量子点密封组件并将所述量子点密封组件与所述发光器件组件分开。
5.权利要求1所述的光源模块,其中所述密封部件为条型管。
6.权利要求1所述的光源模块,其中所述密封部件为平板型管。
7.权利要求1所述的光源模块,其中所述密封部件为玻璃管或聚合物管。
8.权利要求1所述的光源模块,其中所述多个发光器件芯片被排列成一行或多行。
9.权利要求1所述的光源模块,其中所述多个发光器件芯片被排列成直线、曲线或预定图案。
10.权利要求9所述的光源模块,其中所述密封部件形成为与所述多个发光器件芯片的排列方式相对应的直线、曲线或预定图案。
11.权利要求1所述的光源模块,其中所述量子点分散在有机溶剂或聚合物树脂中。
12.权利要求11所述的光源模块,其中所述有机溶剂包含甲苯、氯仿和乙醇中的至少一种。
13.权利要求11所述的光源模块,其中所述聚合物树脂包含环氧树脂、硅树脂、聚苯乙烯树脂和丙烯酸酯树脂中的至少一种。
14.权利要求1所述的光源模块,其中所述量子点包含硅(Si)基纳米晶、II-VI族基化合物半导体纳米晶、III-V族基化合物半导体纳米晶、IV-VI族基化合物半导体纳米晶及其混合物中的一种。
15.权利要求14所述的光源模块,其中所述II-VI族基化合物半导体纳米晶由下列的一种化合物形成,该化合物选自由CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和HgZnSTe组成的组。
16.权利要求14所述的光源模块,其中所述III-V族基化合物半导体纳米晶由下列的一种化合物形成,该化合物选自由GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs和InAlPAs组成的组。
17.权利要求14所述的光源模块,其中所述IV-VI族基化合物半导体纳米晶由SbTe形成。
18.权利要求1所述的光源模块,其中所述量子点包括第一量子点,该第一量子点的大小允许峰值波长位于绿光波段。
19.权利要求1所述的光源模块,其中所述量子点包括第二量子点,该第二量子点的大小允许峰值波长位于红光波段。
20.权利要求1所述的光源模块,其中所述多个发光器件芯片为发光二极管(LED)芯片。
21.权利要求1所述的光源模块,其中所述基板为印刷电路板(PCB),并且
其中所述多个发光器件芯片被直接安装在所述基板上。
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