[发明专利]像素电极结构有效
申请号: | 201110150608.9 | 申请日: | 2011-06-07 |
公开(公告)号: | CN102236218A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 张鑫 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司;上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/139 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;潘中毅 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电极 结构 | ||
1.一种像素电极结构,其特征在于,包括:
条状的水平主干和条状的竖直主干,所述水平主干与所述竖直主干的中心垂直相交;
由所述水平主干与所述竖直主干中心垂直相交所均分而成的四个区域中,分别具有多个条状分支,所述多个条状分支相对于竖直主干与水平主干垂直相交的中心点向外发散,所述多个条状分支间隔有多条缝隙;
所述水平主干与竖直主干中心垂直相交的中心区域内还设置有两个中心对称的切口。
2.如权利要求1所述的像素电极结构,其特征在于,所述两个中心对称的切口的形状为多边形或扇形。
3.如权利要求2所述的像素电极结构,其特征在于,所述水平主干与竖直主干垂直相交的中心区域在水平方向上的长度 ;为所述水平主干的长度;所述水平主干与竖直主干垂直相交的中心区域在竖直方向上的长度;为所述竖直主干的长度。
4.如权利要求2所述的像素电极结构,其特征在于,所述由所述水平主干与所述竖直主干中心垂直相交所均分而成的四个区域中,左上区域和右上区域镜像对称;左下区域和右下区域镜像对称;左上区域和左下区域镜像对称;右上区域和右下区域镜像对称。
5.如权利要求4所述的像素电极结构,其特征在于,所述像素电极结构整体呈“米”字型,所述多个条状分支与所述垂直主干与所述水平主干之间的夹角为45度。
6.如权利要求5所述的像素电极结构,其特征在于,所述多个条状分支间隔的多条缝隙的宽度相同。
7.如权利要求5所述的像素电极结构,其特征在于,所述多个条状分支间隔的多条缝隙的宽度不同。
8.如权利要求6或7所述的像素电极结构,其特征在于,所述多个条状分支的宽度相同。
9.如权利要求6或7所述的像素电极结构,其特征在于,所述多个条状分支的宽度不同。
10.如权利要求6或7所述的像素电极结构,其特征在于,所述像素电极结构应用的液晶显示面板的模式为高分子安定化垂直配向模式或图案垂直排列模式。
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