[发明专利]一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置

权利要求书

1.一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置，该装置上部分为电子束熔炼室，下部分为定向凝固室，室壁为双层水冷结构，其特征在于电子束熔炼室包括吸附板(2)、电子枪(3)(4)(5)、左右水平水冷铜坩埚(7)(15)，其上设置有溢流口(10)(14)，三把电子枪分别垂直安装在电子束熔炼室的上壁，左水平水冷铜坩埚(7)与移动丝杠机构(16)相连接，右水平水冷铜坩埚(15)，与移动丝杠机构(28)相连接，移动丝杠机构(16)和(28)分别于熔炼室外壁的电机相连接，水平水冷铜坩埚(7)(1 5)的底部分别安装有滑轮(17)和(27)，在熔炼室上壁的左右两侧各设置有硅原料入口(1)和(6)，送料机构安装在原料入口的(1)和(6)上端，水冷铸锭坩埚(19)安装在定向凝固室中，水冷盘(21)安装在水冷铸锭坩埚(19)的底部，并与出锭顶升机构(22)相连接，进水管(23)和出水管(24)与位于水冷铸锭坩埚(19)底部的水冷盘(21)相连通，电子束熔炼室的后方配置有高真空系统、送料仓(35)、电控柜(37)、操作台(38)、高压电源(39)和循环水冷系统(40)。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置，其特征在于所述的高真空系统有机械泵(29)、罗茨泵(30)和油扩散泵(31)构成。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置，其特征在所述的水平水冷铜坩埚(7)(15)中分别设置有固液挡板(9)和(13)。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置，其特征在所述的送料仓(35)与熔炼室之间设置有隔离阀(34)。

5.根据权利要求1和3所述的一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置，其特征在所述的固液挡板(9)和(13)采用高性能炭复合材料。

6.根据权利要求1所述的一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置，其特征在所述的电子束熔炼室为方形或圆柱形，定向凝固室为圆柱形。

7.根据权利要求1所述的一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置，其特征在所述的吸附板(2)采用可拆卸网状密度高的耐热不锈钢网制成。

8.根据权利要求1所述的一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置，其特征在所述的水冷铸锭坩埚(19)为圆锥形。