[发明专利]一种二氢蒽衍生物、其制备方法、应用及含有其的发光器件有效
申请号: | 201110151255.4 | 申请日: | 2011-06-08 |
公开(公告)号: | CN102675128A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 邱勇;范洪涛;李银奎;段炼 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | C07C211/54 | 分类号: | C07C211/54;C07C211/58;C07C209/68;C07D209/86;C07C25/22;C09K11/06;H01L51/54 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 钟守期 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二氢蒽 衍生物 制备 方法 应用 含有 发光 器件 | ||
1.一种9,9,10,10-四芳基取代二氢蒽化合物,其结构式如式(1)所示:
式(1)
其中:
R1和R2分别独立地选自氢原子或如下式(2)的二芳基胺基或者式(3)的取代吡咯基,
前提是R1和R2不同时为氢,
Ar1和Ar2分别独立地选自包括取代基在内具有6~50个碳原子的未被取代的或被至少一个选自C1-C6-烷基或C3-C10-环烷基的基团取代的苯基、萘基或蒽基;
A和B分别独立地选自包括取代基在内具有6~50个碳原子的未被取代的或被至少一个选自C1-C6-烷基或C3-C10-环烷基的基团取代的苯基、萘基或蒽基。
2.权利要求1的化合物,其中
R1和R2之一为氢,另一为间位或对位取代的选自式(2)的二芳基胺基或者式(3)的取代吡咯基,或者,R1和R2分别独立地选自间位或对位取代的式(2)的二芳基胺基或者式(3)的取代吡咯基;
Ar1和Ar2分别独立地选自包括取代基在内具有6~30个碳原子的未被取代的或被至少一个选自C1-C6-烷基或C3-C10-环烷基的基团取代的苯基、萘基或蒽基;并且
A和B分别独立地选自包括取代基在内具有6~30个碳原子的未被取代的或被至少一个选自C1-C6-烷基或C3-C10-环烷基的基团取代的苯基、萘基或蒽基。
3.权利要求1的化合物,其中
R1和R2之一为氢,另一为间位或对位取代的选自式(2)的二芳基胺基或者式(3)的取代吡咯基,或者,R1和R2分别独立地选自间位或对位取代的式(2)的二芳基胺基或者式(3)的取代吡咯基;
Ar1和Ar2分别独立地选自包括取代基在内具有6~16个碳原子的未被取代的或被至少一个取代基取代的苯基或萘基,所述取代基选自C1-C6-烷基或C3-C10-环烷基;并且
A和B分别独立地选自包括取代基在内具有6~16个碳原子的未被取代的或被至少一个取代基取代的苯基或萘基,所述取代基选自C1-C6-烷基或C3-C10-环烷基。
4.权利要求1的化合物,其中
R1和R2之一为氢,另一为间位或对位取代的选自式(2)的二芳基胺基或者式(3)的取代吡咯基,或者,R1和R2分别独立地选自间位或对位取代的式(2)的二芳基胺基或者式(3)的取代吡咯基;
Ar1和Ar2分别独立地选自未被取代的或被一个或两个取代基取代的苯基或萘基,所述取代基选自C1-C4-烷基或C3-C6-环烷基;并且
A和B分别独立地选自未被取代的或被一个或两个取代基取代的苯基或萘基,所述取代基选自C1-C4-烷基或C3-C6-环烷基。
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