[发明专利]具有过硅通孔的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

焊盘；以及

在该焊盘下面的过硅通孔。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中该过硅通孔是该半导体器件中的电路的内部节点。

3.如权利要求2的半导体器件，其中该过硅通孔与所述焊盘电分隔开。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中该过硅通孔是该半导体器件的电源节点。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中该过硅通孔电连接到该焊盘。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中该过硅通孔是圆柱结构。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中该过硅通孔是环型结构。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中该过硅通孔包括：

圆柱形第一金属插塞；

围绕该第一金属插塞的外周表面的第一半导体层；

围绕该第一半导体层的外周表面的第二金属插塞；

围绕该第二金属插塞的外周表面的第二半导体层；以及

至少一个绝缘层，在该第一金属插塞的该外周表面上，该至少一个绝缘层在该第一半导体层和该第二金属插塞的内周和外周表面上，且该至少一个绝缘层在该第二半导体层的内周表面上，且

该过硅通孔配置为在该第一半导体层处接收第一偏置电压，该第一偏置电压在该第一半导体层中产生从与该绝缘层的界面延伸的耗尽区，且

该过硅通孔配置为在该第二半导体层处接收第二偏置电压，该第一偏置电压不同于该第二偏置电压。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中该第一偏置电压是负电压。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中该第一偏置电压在该绝缘层与该第一半导体层之间的该界面处产生反型层。

11.如权利要求8所述的半导体器件，其中该第二偏置电压是接地电压。

12.如权利要求8所述的半导体器件，其中该过硅通孔配置为在该第二金属插塞处接收接地电压。

13.如权利要求7所述的半导体器件，其中该过硅通孔包括：

第一半导体层；

围绕该第一半导体层的外周表面的环形的金属插塞；

围绕该金属插塞的外周表面的第二半导体层；以及

至少一个绝缘层，在该第一半导体层的外周表面上，该至少一个绝缘层在该金属插塞的内周和外周表面上，且该至少一个绝缘层在该第二半导体层的内周表面上，且

该过硅通孔配置为在该第一半导体层处接收第一偏置电压，该第一偏置电压在该第一半导体层中产生从与该绝缘层的界面延伸的耗尽区，且

该过硅通孔配置为在该第二半导体层处接收第二偏置电压，该第一偏置电压不同于该第二偏置电压。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其中该第一偏置电压是负电压。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中该第一偏置电压在该绝缘层与该第一半导体层之间的该界面处产生反型层。

16.如权利要求13的半导体器件，其中该第二偏置电压是接地电压。

17.如权利要求7所述的半导体器件，其中该过硅通孔包括：

第一半导体层；

在该第一半导体层的外周表面上的环形的第一金属插塞；

在该第一金属插塞的外周表面上的第二半导体层；

在该第二半导体层的外周表面上的环形的第二金属插塞；

在该第二金属插塞的外周表面上的第三半导体层；以及

至少一个绝缘层，在该第一半导体层的外周表面上，该至少一个绝缘层在该第一金属插塞、该第二半导体层和该第二金属插塞的内周和外周表面上，该至少一个绝缘层在该第三半导体层的内周表面上，且

该过硅通孔配置为在该第一和第二半导体层处接收第一偏置电压，该第一偏置电压在该第一和第二半导体层中产生从该第一和第二半导体层与该至少一个绝缘层的界面延伸的耗尽区，且

该过硅通孔配置为在该第三半导体层处接收第二偏置电压，该第一偏置电压不同于该第二偏置电压。

18.如权利要求17所述的半导体器件，其中该第一偏置电压是负电压。