[发明专利]化学气相淀积装置中硅基气体的控制方法

权利要求书

1. 一种化学气相淀积装置中硅基气体的控制方法，其中，所述化学气相淀积装置的气路控制装置包括：

流量控制气路；

与所述流量控制气路相通的排气气路；以及

与所述流量控制气路相通的入腔气路；

所述流量控制气路上设置流量控制装置和出口阀，所述排气气路上设置排气阀，所述入腔气路上设置腔体气阀；

其特征在于，在所述腔体气阀打开前，所述排气阀在开始对所述化学气相淀积装置的腔体中的晶圆加热时、或者在对所述化学气相淀积装置的腔体中的晶圆加热中被打开，以延长打开所述排气阀与打开所述腔体气阀之间的时间段。

2. 如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，打开所述排气阀与打开所述腔体气阀之间的时间段大于或等于15秒。

3. 如权利要求1或2所述的控制方法，其特征在于，所述流量控制气路还设置有进口阀，在所述排气阀被打开前，所述进口阀和所述出口阀被打开以向所述流量控制气路通入所述硅基气体。

4. 如权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述进口阀和所述出口阀的打开相对先于所述化学气相淀积装置的腔体中的晶圆加热的开始时间点。

5. 如权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述化学气相淀积装置的腔体中的晶圆加热时间大于或等于20秒时，所述进口阀和所述出口阀的打开相对迟于对所述化学气相淀积装置的腔体中的晶圆加热的开始时间点。

6. 如权利要求1或2所述的控制方法，其特征在于，所述硅基气体为SiH₄、SiHCl₃或者SiF₄。

7. 如权利要求1或2所述的控制方法，其特征在于，所述化学气相淀积为等离子增强型化学气相淀积、金属有机化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积、次常压化学气相淀积或者常压化学气相淀积。

8. 如权利要求1或2所述的控制方法，其特征在于，所述流量控制装置为质量流量控制器。

9. 如权利要求1或2所述的控制方法，其特征在于，所述排气气路的一端与真空泵连通。

10. 如权利要求1或2所述的控制方法，其特征在于，所述入腔气路的一端与所述化学气相淀积装置的腔体连通。