[发明专利]一种侧向发光的红外半导体发光管管芯的制备方法

权利要求书

1.一种侧向发光的红外半导体发光管管芯的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在n型掺杂的GaAs衬底上依次生长n型GaAs缓冲层、n型Al0.45Ga0.55As下限制层、Al0.25Ga0.75As下波导层、Al0.07In0.02Ga0.91As/Al0.25Ga0.75As多量子阱、Al0.25Ga0.75As上波导层、p型Al0.45Ga0.55As上限制层、p型GaAs欧姆接触层；

2)在p型GaAs欧姆接触层上生长一层1200～1500埃左右的SiO2绝缘层；

3)在SiO₂绝缘层上光刻腐蚀出电极窗口；

4)在SiO₂上生长金属电极层，Ti/Pt/Au，总厚度为2700～3500埃；

5)将外延片磨抛减薄至120um～150um；

6)在外延片n面生长金属电极层，Au/Ge/Ni并且加盖厚金约1um；

7)在氢气气氛，温度为380摄氏度～420摄氏度下进行快速合金；

8)用芯片解理设备将外延片分割成条状芯片，每条包含若干个管芯；

9)在条状芯片的前后两端生长介质膜，两面均为增透膜，反射率控制在2％～5％之间，越小越好；

10)将条状芯片解理成单个管芯。

2.根据权利要求1所述的侧向发光的红外半导体发光管管芯的制备方法，其特征在于：所述外延片采用金属有机物化学汽相沉积法制备。

3.根据权利要求1所述的侧向发光的红外半导体发光管管芯的制备方法，其特征在于：所述绝缘层采用SiO₂或Si₃N₄，生长方法可采用磁控溅射、电子束溅射。

4.根据权利要求1所述的侧向发光的红外半导体发光管管芯的制备方法，其特征在于，将外延片首先分割成均匀的条状芯片，每个条状芯片将包含若干个管芯。

5.根据权利要求4所述的侧向发光的红外半导体发光管管芯的制备方法，其特征在于：将条状芯片的两个解理面进行增透介质膜生长，用于增加外损耗，抑制受激辐射，介质膜材料及生长方式不受限制。

6.根据权利要求4所述的侧向发光的红外半导体发光管管芯的制备方法，其特征在于：条状芯片的两个解理面为出光面。

7.根据权利要求1所述的侧向发光的红外半导体发光管管芯的制备方法，其特征在于：管芯的出光方向与外延片生长方向相垂直。