[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201110152390.0 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102820385A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 谢红梅;刘煊杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/265;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供均匀地掺杂有第一掺杂剂的半导体衬底，所述半导体衬底包括用于形成MEMS器件的第一区域和用于形成二极管的第二区域；
在所述第二区域的部分中掺杂与第一掺杂剂具有相反导电类型的第二掺杂剂，以形成所述二极管；
对所述半导体衬底进行减薄；以及
在所述第一区域中形成所述MEMS器件。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂剂为P型掺杂剂。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用离子注入的方法将所述第二掺杂剂掺杂到所述第二区域的部分中。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，从所述半导体衬底的正面将所述第二掺杂剂掺杂到所述第二区域的部分中。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，从所述半导体衬底的背面对所述半导体衬底进行减薄。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底的厚度为650-750 。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一区域内所述半导体衬底中形成有开口面向所述半导体衬底的正面的第一凹槽和开口面向所述半导体衬底的背面的第二凹槽，其中，所述第一凹槽用作封装LED芯片的反射腔，且所述第二凹槽用作容纳LED芯片布线的腔室。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述第一凹槽的内表面上形成有反射层。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述二极管为静电放电保护二极管。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底的材料为硅。
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