[发明专利]用于制造到达衬底的顶部接触的结构无效
| 申请号： | 201110152890.4 | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN102222695A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 吴俊泰;何宜修 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 到达 衬底 顶部 接触 结构 | ||
1.一种半导体结构，包括：
起始半导体衬底，具有凹槽部；
半导体材料，在所述凹槽部中，所述半导体材料具有高于所述起始半导体衬底的电阻率；
体区，在所述半导体材料中延伸，所述体区和所述半导体材料具有相反的导电类型；
源区，在所述体区中，所述源区和所述体区具有相反的导电类型；
栅电极，所述栅电极邻近所述体区但与所述体区绝缘地延伸；
以及
第一互连层，在所述起始半导体衬底的非凹槽部之上延伸并与其接触，所述第一互连层和所述非凹槽部提供到达所述起始半导体衬底在所述半导体材料之下的部分的顶部电接触。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述起始半导体衬底包括硅。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述凹槽部填充有外延层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述起始半导体衬底的电阻率在5mOhm-cm至7mOhm-cm的范围内，以及所述半导体材料的电阻率在0.2Ohm-cm至0.4Ohm-cm的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体材料具有与所述起始半导体衬底不同的导电类型。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，垂直导电器件进一步包括：
重体区，在所述体区中；以及
第二互连层，电接触所述源区和所述重体区，所述第二互连层与所述第一互连层绝缘。
7.一种半导体结构，包括：
起始半导体衬底，具有凹槽部；
半导体材料，在所述凹槽部中，所述半导体材料具有高于所述起始半导体衬底的电阻率；
电介质隔离物，在所述半导体材料和所述起始半导体衬底的非凹槽部之间垂直延伸；
体区，在所述半导体材料中延伸，所述体区和所述半导体材料具有相反的导电类型；
源区，在所述体区中，所述源区和所述体区具有相反的导电类型；
栅电极，所述栅电极邻近所述体区但与所述体区绝缘地延伸；
以及
第一互连层，在所述起始半导体衬底的所述非凹槽部之上延伸并与其接触，所述第一互连层和所述非凹槽部提供到达所述起始半导体衬底在所述半导体材料之下的部分的顶部电接触。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述起始半导体衬底包括硅。
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述电介质隔离物包括氧化物。
10.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述凹槽部填充有外延层。
11.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述起始半导体衬底的电阻率在5mOhm-cm至7mOhm-cm的范围内，以及所述半导体材料的电阻率在0.2Ohm-cm至0.4Ohm-cm的范围内。
12.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述半导体材料具有与所述起始半导体衬底相同的导电类型。
13.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述半导体材料具有不同于所述起始半导体衬底的导电类型。
14.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，垂直导电器件进一步包括：
重体区，在所述体区中；以及
第二互连层，电接触所述源区和所述重体区，所述第二互连层与所述第一互连层绝缘。
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