[发明专利]高阻断性有机电子器件用封装材料有效
申请号: | 201110153162.5 | 申请日: | 2011-06-09 |
公开(公告)号: | CN102229737A | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
发明(设计)人: | 孙国林;孙世峰;秦学孔 | 申请(专利权)人: | 孙国林;孙世峰;秦学孔 |
主分类号: | C08L63/00 | 分类号: | C08L63/00;C08L75/04;C08L69/00;C08L33/04;C08L23/00;C08L63/02;C08L63/10;C08K7/00;C08K3/34;C09K3/10 |
代理公司: | 大连科技专利代理有限责任公司 21119 | 代理人: | 龙锋 |
地址: | 116000 辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻断 有机 电子器件 封装 材料 | ||
1. 高阻断性有机电子器件用封装材料,主要由高分子树脂和无机填充物组成,其特征在于,以质量份数计其含量为,高分子树脂100份,无机填充物20-100份,所述无机填充物为板状,其面上长度和厚度的比例在1.5-50之间,且平均粒径在1.0-5.0微米。
2.根据权利要求1所述的高阻断性有机电子器件用封装材料,其特征在于,所述高分子树脂为环氧树脂、改性环氧树脂、聚氨酯类树脂、聚碳酸酯类树脂、聚丙烯酸脂类树脂或者改性聚烯烃树脂。
3.根据权利要求1所述的高阻断性有机电子器件用封装材料,其特征在于,所述板状无机填充物为粘土、云母、硅石或滑石。
4.根据权利要求1所述的高阻断性有机电子器件用封装材料,其特征在于,所述封装材料中还含有引发剂、藕联剂、增溶剂和消泡剂,其总添加量为0.2-20份。
5.根据权利要求4所述的高阻断性有机电子器件用封装材料,其特征在于,所述引发剂为过氧化物类引发剂,羧酸类引发剂,苯甲酮类引发剂,硼酸盐类引发剂,有机磷酸类引发剂,三嗪类引发剂,膦酸盐类引发剂或者三聚氰二胺类引发剂。
6.根据权利要求4所述的高阻断性有机电子器件用封装材料,其特征在于,所述藕联剂为硅烷类藕联剂和有机钛类藕联剂。
7.根据权利要求4所述的高阻断性有机电子器件用封装材料,其特征在于,所述增溶剂为脂肪族二烯类高分子增溶剂,聚烯烃类增溶剂,脂环型二烯类增溶剂,亚乙烯类增溶剂或者醋酸乙烯酯和脂肪族醇的混合物。
8.根据权利要求4所述的高阻断性有机电子器件用封装材料,其特征在于,所述消泡剂为丙烯酸酯类消泡剂,低粘度硅油类消泡剂,醇类消泡剂,脂肪酸酯类消泡剂或者聚醚类消泡剂。
9.根据权利要求1所述的高阻断性有机电子器件用封装材料,其特征在于,所述无机填充物的平均粒径在1.5-4.0微米之间。
10.根据权利要求1或9所述的高阻断性有机电子器件用封装材料,其特征在于,所述无机填充物为40-80份。
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