[发明专利]纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体及其制作方法

权利要求书

1.一种纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体，其特征在于，包含有：

一基板；

一接合金属层，其位于该基板上；

一第一电极，其位于该接合金属层上；

一半导体结构，其位于该第一电极上，该半导体结构是侧向磊晶形成；以及

一第二电极，其位于该半导体结构上，该半导体结构未被该第二电极所附盖的上表面形成有一纳米级粗糙化结构。

2.如权利要求1所述的纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体，其特征在于，该半导体结构包含有：

一p型三五族半导体层；

一n型三五族半导体层；以及

一发光半导体层，其位于该p型三五族半导体层与该n型三五族半导体层间，该发光半导体层具有多重量子井结构。

3.如权利要求1所述的纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体，其特征在于，该纳米级粗糙化结构为规则或不规则的纳米尺寸几何图形。

4.如权利要求1所述的纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体，其特征在于，该纳米级粗糙化结构为规则的纳米尺寸圆形、椭圆形或者多边形。

5.如权利要求1所述的纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体，其特征在于，该纳米级粗糙化结构为规则的纳米尺寸几何图形，该纳米级粗糙化结构的结构周期或结构大小为0.01～0.9纳米。

6.如权利要求1所述的纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体，其特征在于，该半导体结构是于一具纳米级粗糙化结构的磊晶基板上侧向磊晶成长后剥离所形成，该纳米级粗糙化结构与该磊晶基板上的纳米级图形对应。

7.一种纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体的制作方法，其特征在于，包含有下列步骤：

提供一磊晶基板，其上形成有一纳米级图形化氧化硅层；

于该纳米级图形化氧化硅层上侧向磊晶形成一半导体结构，该半导体结构底表面形成有一纳米级粗糙化结构，其对应于该纳米级图形化氧化硅层的图案；

于该半导体结构上形成一第一电极；

提供一第二基板，该第二基板上形成有一接合金属层；

将该第一电极接合于该接合金属层上，随后移除该磊晶基板，显露出该半导体结构的该纳米级粗糙化结构；以及

于该半导体结构上形成一第二电极。

8.如权利要求7所述的纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体的制作方法，其特征在于，该纳米级图形化氧化硅层的制作步骤包含有：

于该磊晶基板上依序形成一氧化硅层与一纳米级金属层；

对该磊晶基板进行一热退火制程，以使该纳米级金属层的金属粒子自聚集形成一纳米级遮罩；以及

以该纳米级遮罩为罩幕对该氧化硅层进行蚀刻，随后移除该纳米级遮罩，以形成该纳米级图形化氧化硅层。

9.如权利要求7所述的纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体的制作方法，其特征在于，沉积形成该半导体结构的步骤包含有：

沉积一n型三五族半导体层；

沉积一发光半导体层，该发光半导体层具有多重量子井结构；以及

沉积一p型三五族半导体层。

10.如权利要求7所述的纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体的制作方法，其特征在于，该移除该磊晶基板的步骤是利用一镭射剥离法所达成。

11.如权利要求7所述的纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体的制作方法，其特征在于，该纳米级粗糙化结构为规则或不规则的纳米尺寸几何图形。

12.如权利要求7所述的纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体的制作方法，其特征在于，该纳米级粗糙化结构为规则的纳米尺寸圆形、椭圆形或者多边形。

13.如权利要求7所述的纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体的制作方法，其特征在于，该纳米级粗糙化结构为规则的纳米尺寸几何图形，该纳米级粗糙化结构的结构周期或结构大小为0.01～0.9纳米。