[发明专利]高电压垂直晶体管的分段式柱布局

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

设置在管芯上的多个晶体管段，每个晶体管段具有跑道形状，所述跑道形状具有沿第一横向伸长的长度和沿第二横向的宽度，每个晶体管段包括：

半导体材料柱，所述柱包括延伸漏极区，所述延伸漏极区通过所述管芯沿垂直方向延伸；

分别设置在所述柱的相对侧上的第一和第二介电区域，所述第一介电区域由所述柱横向包围，并且所述第二介电区域横向包围所述柱；

分别设置在所述第一和第二介电区域中的第一和第二场板；

其中，所述晶体管段被设置成多个部分，第一部分包括沿第二横向设置成并排关系的第一行晶体管段，第二部分包括沿第二横向设置成并排关系的第二行晶体管段，所述第一和第二部分的晶体管段每个沿第一横向被多个半导体材料伪柱分开，每个伪柱中心分别位于第一和第二部分的第一和第二相邻成对的晶体管段的圆形端之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述柱还包括在所述管芯的顶表面附近设置的源极区，以及将所述源极区与所述延伸漏极区垂直地分开的本体区。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括与所述本体区相邻的在第一和第二介电区域中设置的栅极，所述栅极与所述本体区和所述第一和第二场板绝缘。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一和第二部分均沿第二横向跨越管芯的宽度而延伸，第一部分和第二部分附加地沿第一横向跨越管芯的长度而延伸。

5.一种半导体器件，包括：

设置在管芯上的多个晶体管段，每个晶体管段具长环形状，所述长环形状具有沿第一横向伸长的长度和沿第二横向的宽度，每个晶体管段包括：

半导体材料柱，所述柱包括漂移区，所述漂移区通过所述管芯沿垂直方向延伸；

分别设置在所述柱的相对侧上的第一和第二介电区域，所述第一介电区域由所述柱横向包围，并且所述第二介电区域横向包围所述柱；

分别设置在所述第一和第二介电区域中的第一和第二场板；

其中，所述晶体管段被设置成多个部分，

第一部分包括沿第二横向设置成并排关系的第一行晶体管段，第二部分包括沿第二横向设置成并排关系的第二行晶体管段，第一部分的每个晶体管段的第二介电区域被合并，第二部分的每个晶体管段的第二介电区域被合并，第一部分的经合并的第二介电区域和第二部分的经合并的第二介电区域沿第一横向被伪半导体材料柱分开。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，第一和第二部分均沿第二横向跨越管芯的宽度而延伸，第一部分和第二部分附加地沿第一横向跨越管芯的长度而延伸。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述柱还包括在所述管芯的顶表面附近设置的源极区，以及将所述源极区与延伸漏极区垂直地分开的本体区。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括与所述本体区相邻的在第一和第二介电区域中设置的栅极，所述栅极与所述本体区和所述第一和第二场板绝缘。