[发明专利]可提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构及方法

权利要求书

1.一种可提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构，包括一根横硅芯(2)和两根竖硅芯(3)，其特征是：在横硅芯(2)两侧分别设有双面开槽(5)形成的搭接面(6)或设置为端部“U”卡口(7)；两根竖硅芯(3)的上端分别设有双面开槽(5)形成的搭接面(6)或设置为端部“U”卡口(7)；所述横硅芯(2)两侧设置为双面开槽(5)的搭接面(6)时，所述两根竖硅芯(3)的上端便分别设置为端部“U”卡口(7)或所述横硅芯(2)两端设置为端部“U”卡口(7)时，所述两根竖硅芯(3)的上部便分别设置为双面开槽(5)的搭接面(6)；所述横硅芯(2)两侧的双面开槽(5)形成的搭接面(6)或端部“U”卡口(7)与所述两根竖硅芯(3)上端的端部“U”卡口(7)或两根竖硅芯(3)上部的双面开槽(5)形成的搭接面(6)进行吻合搭接形成提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构；所述横硅芯(2)或两根竖硅芯(3)设置的“U”卡口(7)为端部外开口。

2.根据权利要求1所述的可提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构，其特征是：在横硅芯(2)或两根竖硅芯(3)分别设置的“U”卡口(7)的口内两侧面为“＝”形结构或外端扩口。

3.根据权利要求1所述的可提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构，其特征是：在横硅芯(2)或两根竖硅芯(3)分别设置的“U”卡口(7)内侧底部面设有与横硅芯(2)或两根竖硅芯(3)的双面开槽(5)形成的搭接面(6)插入一侧面吻配的弧形面(8)。

4.根据权利要求1所述的可提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构，其特征是：所述两根竖硅芯(3)的下部连接端(4)分别设置为倒锥形头或与竖硅芯(3)相同直径的圆形。

5.实施权利要求1～4任一权利要求所述的可提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构的可提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接方法，其特征是：包含如下步骤：

1)、横硅芯、竖硅芯的先期加工：

A、首先将设计长度的横硅芯(2)两端分别磨削出端部“U”卡口(7)或在横硅芯(2)的两侧分别磨削出双面开槽(5)形成的搭接面(6)待用；

B、分别将两根设计高度相同的竖硅芯(3)上部的两侧分别磨削出双面开槽(5)形成的搭接面(6)或在两根竖硅芯(3)的上端分别磨削出端部“U”卡口(7)待用；

其中横硅芯(2)两端设置为端部“U”卡口(7)时，所述竖硅芯(3)的上部设置与端部“U”卡口(7)相对应的双面开槽(5)形成的搭接面(6)；

进一步，横硅芯(2)两侧设置为双面开槽(5)形成的搭接面(6)时，所述竖硅芯(3)的上端设置与双面开槽(5)形成的搭接面(6)相对应的端部“U”卡口(7)；

2)、硅芯搭接：

将上一步骤横硅芯(2)两侧设置的双面开槽(5)形成的搭接面(6)与两根竖硅芯(3)上端分别设置的端部“U”卡口(7)卡接，检查搭接面(6)与端部“U”卡口(7)的口内两侧壁是否紧密连接，请确保无间隙；或横硅芯(2)两端分别设置的端部“U”卡口(7)与两根竖硅芯(3)上部分别设置的双面开槽(5)形成的搭接面(6)插接，检查端部“U”卡口(7)的口内两侧壁与搭接面(6)是否紧密连接，请确保无间隙；

3)、将上一步骤所述连接牢固的竖硅芯(3)、横硅芯(2)连接体的两个竖硅芯(3)下端的下部连接端(4)分别接在还原炉炉底上的两个电极上，其中任一竖硅芯(3)下部连接端(4)与直流电源的电极正极联通，另一竖硅芯(3)下部连接端(4)与直流电源的电极负极联通，然后对硅芯进行加热，加热中一组搭接好的硅芯相当于一个大电阻，向密闭的还原炉内通入氢气和三氯氢硅，进行还原反应；

4)、当所需的多晶硅在硅芯表面生成硅芯，然后取出成品硅芯便完成了一次所述的硅芯加工过程；

5)、重复上一步骤，实现多次多晶硅的还原过程。