[发明专利]氮化镓单晶的制备方法有效
| 申请号： | 201110153779.7 | 申请日： | 2011-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102220640A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 刘良宏;庄德津 | 申请（专利权）人： | 青岛铝镓光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B29/64;C30B25/18;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 266101 山东省青岛市崂*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 镓单晶 制备 方法 | ||
1.一种氮化镓单晶的制备方法，其特征在于，包括：
提供异质衬底；
对所述异质衬底进行氮化；
在所述异质衬底上形成钝化层，所述钝化层具有多个暴露异质衬底的岛状部分；
在所述岛状部分上生长氮化镓晶柱，所述氮化镓晶柱高于所述钝化层，以形成柱状网络的应力屈服层；
在所述氮化镓晶柱的上部形成氮化镓薄膜，以使氮化镓晶柱的上部合并；
在所述氮化镓薄膜上生长氮化镓厚膜；
进行冷却，在热应力作用下应力屈服层裂开。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在HVPE反应器中进行。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钝化层为SiNx、WNx或TiNx。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，形成SiNx的钝化层的方法为：通入SiH4和NH3，SiH4的流量为50sccm，NH3的流量为1000sccm，温度为800℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在进行氮化之后，形成钝化层之前，还包括步骤：在所述异质衬底上生长氮化镓缓冲层；则形成钝化层的步骤为：在所述氮化镓缓冲层上形成钝化层，所述钝化层具有多个暴露所述氮化镓缓冲层的岛状部分。
6.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，所述氮化镓缓冲层、氮化镓晶柱、氮化镓薄膜以及氮化镓厚膜中的氮化镓的形成方法为：镓同HCl反应得到氯化镓，氯化镓同NH3反应，沉积后得到氯化镓单晶。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成氮化镓晶柱时，HCl的流量为10sccm，NH3的流量为5000sccm，温度为600℃。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成氮化镓薄膜时，HCl的流量为10sccm，NH3的流量为500sccm，温度为1100℃。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成氮化镓厚膜时，HCl的流量为100sccm，NH3的流量为2000sccm，温度为1000℃。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成氮化镓缓冲层时，HCl的流量为20sccm，NH3的流量为6000sccm，温度为800℃。
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