[发明专利]一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110154094.4 申请日: 2011-06-09
公开(公告)号: CN102820425A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 林殷茵;田晓鹏 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56
代理公司: 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 代理人: 吴桂琴
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 相变 多层 结构 存储器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种相变阻变多层结构存储器,包括上电极和下电极,其特征在于,在上电极和下电极之间设相变材料和阻变材料存储介质层。

2.如权利要求1所述的相变阻变多层结构存储器,其特征在于,所述的存储介质层为阻变材料和相变材料的双层叠层,该存储介质层靠近下电极。

3.如权利要求1所述的相变阻变多层结构存储器,其特征在于,所述的存储介质层为阻变材料和相变材料的双层叠层,其中,所述的相变材料靠近上电极或下电极,所述的阻变材料靠近上电极或下电极。

4.如权利要求1所述的相变阻变多层结构存储器,其特征在于,所述的存储介质层为相变材料、阻变材料、相变材料三层叠层结构;所述的两层相变材料存储介质层分别靠近上电极和下电极,阻变材料存储介质层未于两层相变材料存储介质层中间;所述的两层相变材料可不同,且位置可互换。

5.权利要求1的相变阻变多层结构存储器的制备方法,其特征在于,包括:

(1)所述的存储介质层为阻变材料和相变材料的双层叠层时,

所述的阻变材料通过氧化下电极形成,之后进行掺杂或退火工艺步骤处理制成;所述的相变材料在阻变材料制备结束后进行沉积制得;

所述的氧化为热氧化或等离子体氧化;

所述的上电极和下电极为Mn、Ta、TaN、Ti、W、Ni、Al、Co或Cu金属材料,或为复合层结构,该复合层结构为Ti/TiN、Ta/TaN;

所述的相变材料为GeSbTe、GeTeAsSi、GeTe、GeSb、GeTeAs、InTe或AsSbTe;

或,

(2)所述的存储介质层为阻变材料和相变材料的双层叠层;所述的相变材料靠近上电极或下电极,所述的阻变材料靠近上电极或下电极时,

所述的阻变材料为通过沉积的方式进行制备,然后沉积相变材料,化学机械抛光后再制成上电极;

所述的沉积方式为物理气相淀积、化学气相淀积或原子层淀积;

所述的相变材料为GeSbTe、GeTeAsSi、GeTe、GeSb、GeTeAs、InTe或AsSbTe;

所述的上电极和下电极为Mn、Ta、TaN、Ti、W、Ni、Al、Co或Cu金属材料,或为复合层结构,该复合层结构为Ti/TiN、Ta/TaN;

(3)所述的存储介质层为相变材料、阻变材料、相变材料三层叠层结构时,

所述相变材料通过沉积的方式进行制备,然后沉积阻变材料,最后再沉积一层相变材料,化学机械抛光后,再制备上电极;

所述的上电极和下电极为Mn、Ta、TaN、Ti、W、Ni、Al、Co或Cu金属材料,或为复合层结构,该复合层结构为Ti/TiN、Ta/TaN;

所述沉积的方式为物理气相淀积、化学气相淀积或原子层淀积;

所述的相变材料为GeSbTe、GeTeAsSi、GeTe、GeSb、GeTeAs、InTe或AsSbTe。

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