[发明专利]一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法无效
申请号: | 201110154094.4 | 申请日: | 2011-06-09 |
公开(公告)号: | CN102820425A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 林殷茵;田晓鹏 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56 |
代理公司: | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人: | 吴桂琴 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 相变 多层 结构 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种相变阻变多层结构存储器,包括上电极和下电极,其特征在于,在上电极和下电极之间设相变材料和阻变材料存储介质层。
2.如权利要求1所述的相变阻变多层结构存储器,其特征在于,所述的存储介质层为阻变材料和相变材料的双层叠层,该存储介质层靠近下电极。
3.如权利要求1所述的相变阻变多层结构存储器,其特征在于,所述的存储介质层为阻变材料和相变材料的双层叠层,其中,所述的相变材料靠近上电极或下电极,所述的阻变材料靠近上电极或下电极。
4.如权利要求1所述的相变阻变多层结构存储器,其特征在于,所述的存储介质层为相变材料、阻变材料、相变材料三层叠层结构;所述的两层相变材料存储介质层分别靠近上电极和下电极,阻变材料存储介质层未于两层相变材料存储介质层中间;所述的两层相变材料可不同,且位置可互换。
5.权利要求1的相变阻变多层结构存储器的制备方法,其特征在于,包括:
(1)所述的存储介质层为阻变材料和相变材料的双层叠层时,
所述的阻变材料通过氧化下电极形成,之后进行掺杂或退火工艺步骤处理制成;所述的相变材料在阻变材料制备结束后进行沉积制得;
所述的氧化为热氧化或等离子体氧化;
所述的上电极和下电极为Mn、Ta、TaN、Ti、W、Ni、Al、Co或Cu金属材料,或为复合层结构,该复合层结构为Ti/TiN、Ta/TaN;
所述的相变材料为GeSbTe、GeTeAsSi、GeTe、GeSb、GeTeAs、InTe或AsSbTe;
或,
(2)所述的存储介质层为阻变材料和相变材料的双层叠层;所述的相变材料靠近上电极或下电极,所述的阻变材料靠近上电极或下电极时,
所述的阻变材料为通过沉积的方式进行制备,然后沉积相变材料,化学机械抛光后再制成上电极;
所述的沉积方式为物理气相淀积、化学气相淀积或原子层淀积;
所述的相变材料为GeSbTe、GeTeAsSi、GeTe、GeSb、GeTeAs、InTe或AsSbTe;
所述的上电极和下电极为Mn、Ta、TaN、Ti、W、Ni、Al、Co或Cu金属材料,或为复合层结构,该复合层结构为Ti/TiN、Ta/TaN;
或
(3)所述的存储介质层为相变材料、阻变材料、相变材料三层叠层结构时,
所述相变材料通过沉积的方式进行制备,然后沉积阻变材料,最后再沉积一层相变材料,化学机械抛光后,再制备上电极;
所述的上电极和下电极为Mn、Ta、TaN、Ti、W、Ni、Al、Co或Cu金属材料,或为复合层结构,该复合层结构为Ti/TiN、Ta/TaN;
所述沉积的方式为物理气相淀积、化学气相淀积或原子层淀积;
所述的相变材料为GeSbTe、GeTeAsSi、GeTe、GeSb、GeTeAs、InTe或AsSbTe。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学,未经复旦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110154094.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:物体检测装置及信息取得装置
- 下一篇:一种用于避雷器监测设备的雷电取能装置