[发明专利]形成薄膜图案的方法以及具有该薄膜图案的平板显示器

说明书

本申请要求2010年6月11日的韩国专利申请10-2010-0055335的优先权，通过参考将其全部内容结合于此。.

技术领域

本发明涉及一种形成薄膜图案的方法以及具有该薄膜图案的平板显示器，该薄膜图案能够使形成微图案成为可能。

背景技术

近来，显示器市场以使轻便、大尺寸显示器的易于制造成为可能的平板显示器为中心迅速变化。

作为平板显示器，有液晶显示器LCD、等离子显示面板PDP、有机电致发光显示器OLED等。在平板显示器中的多个薄膜图案通过薄膜沉积步骤、光刻步骤、以及掩模步骤形成，其中光刻步骤包括曝光和显影步骤，掩模步骤包括蚀刻步骤和光刻胶去除步骤。

在掩模步骤的光刻步骤中形成的光刻胶图案具有大约4μm的最小线宽和大约3μm的光刻胶图案最小间距。利用光刻胶图案通过蚀刻形成的薄膜图案具有大约3μm的最小线宽和大约4μm的薄膜图案最小间距。

因此，难于形成分辨率低于薄膜图案的最小线宽的薄膜图案。

发明内容

因此，本发明涉及一种形成薄膜图案的方法以及具有该薄膜图案的平板显示器。

本发明的目的是提供一种形成薄膜图案的方法以及具有该薄膜图案的平板显示器，所述薄膜图案使形成微图案成为可能。

本发明的其他优点、目的、特征的一部分将在下述描述中阐明，对于本领域普通技术人员来说这些优点、目标、特征的其他部分根据下述描述是显而易见的或者可以从本发明的实施中得知。本发明的目的和其他优点可以通过书面描述、权利要求书以及附图中特别指明的结构来实现和获得。

为了实现本发明的这些目的和其他优点以及根据本发明的目的，如在此具体和概括描述的，一种形成薄膜图案的方法包括以下步骤：在基板上顺序形成第一到第三薄膜层，在第三薄膜层上形成第一光刻胶图案，利用第一光刻胶图案作为掩模构图第二和第三薄膜层以形成具有彼此不同线宽的第一和第二薄膜掩模图案，在位于第一薄膜层和第二薄膜掩模图案之间的第一和第二薄膜掩模图案彼此不重叠的区域形成第二光刻胶图案，去除第一和第二薄膜掩模图案，以及通过利用第二光刻胶图案作为掩模构图第一薄膜层以形成薄膜图案。

在这种情况下，第二薄膜层由无机绝缘膜或柱状晶群材料形成，并且第三薄膜层由遮挡光的不透明材料形成。

详细地，所述柱状晶群材料是钼。

同时，第一薄膜掩模图案具有钝角或直角。

并且，形成第二光刻胶图案的步骤包括以下步骤：在上面形成有第一和第二薄膜掩模图案的基板上形成第二光刻胶图案以覆盖第一薄膜掩模图案的侧面和第一薄膜层，以及曝光并显影第一光刻胶图案和第二光刻胶图案以去除第一光刻胶图案并形成第二光刻胶图案。

在本发明的另一方面，平板显示器包括彼此分开第一距离的多个薄膜图案，每个薄膜图案包括两个薄膜图案，其中所述两个薄膜图案具有彼此相同的线宽并彼此分开第二距离。

第一和第二距离是相同的。

第一和第二距离是彼此不同的。

薄膜图案具有400nm-1000nm的线宽。

需要理解的是，本发明的上述一般描述和下述详细描述都是示范性和说明性的，并且意在提供所要求保护的本发明的进一步说明。

附图说明

提供对本发明的进一步理解并且被结合到本申请中且构成本申请的一部分的附图，说明本发明的实施例并且与说明书一起来解释本发明的原理。附图中：

图1A-1G是说明根据本发明优选实施例的形成薄膜图案的方法的步骤的截面图。

图2是表示采用了本发明的薄膜图案的薄膜晶体管基板的平面图。

图3是沿着图1中的线I-I’切开的薄膜晶体管基板的截面图。

图4A和4B是说明形成图2和3所示的栅极金属图案的方法的平面图和截面图。

图5A-5F是详细说明形成图2和3所示的栅极金属图案的方法的步骤的截面图。

图6A和6B是说明形成图2和3所示的半导体图案和数据金属图案的方法的平面图和截面图。

图7A和7B是说明形成图2和3所示的具有像素接触孔和公共接触孔的保护膜的方法的平面图和截面图。

图8A和8B是说明形成图2和3所示的透明导电图案的方法的平面图和截面图。

具体实施方式

现在将详细地描述本发明的具体实施例，这些实施例的例子绘示在附图中。只要有可能，在整个附图中相同的参考标记指代相同或相似的部件。

图1A-1G示出了说明根据本发明优选实施例的形成薄膜图案的方法的步骤的截面图。