[发明专利]有源且可调整以适合多种规格的滤波装置

权利要求书

1.一种有源且可调整以适合多种规格的滤波装置，包括：

一第一滤波器，具有一第一品质因子，以定义该滤波装置的频宽及中心频率；

一第二滤波器，连接至该第一滤波器，具有一第二品质因子，该第一滤波器及该第二滤波器的频谱以定义该滤波装置的频宽中的低频处的频率及该频宽中的低频处的锐利度；以及

一第三滤波器，连接至该第二滤波器，具有一第三品质因子，该第一滤波器及该第三滤波器的频谱以定义该滤波装置的频宽中的高频处的频率及该频宽中的高频处的锐利度；

其中，该第一品质因子的值为5～15，该第二品质因子及该第三品质因子的值为15以上。

2.根据权利要求1所述的有源且可调整以适合多种规格的滤波装置，其中，每一该第一滤波器、该第二滤波器、及该第三滤波器是由一第一PMOS晶体管、一第二PMOS晶体管、一第一电感、一第一可变电容、一第一可变电阻、一第二可变电阻、一第三可变电阻、一第一NMOS晶体管、一第二NMOS晶体管及一第三NMOS晶体管所组成。

3.根据权利要求2所述的有源且可调整以适合多种规格的滤波装置，其中，于每一该第一滤波器、该第二滤波器、及该第三滤波器中，该第一PMOS晶体管及该第二PMOS晶体管的源极连接至一高电位，该第一PMOS晶体管及该第二PMOS晶体管的栅极连接至一第一偏压电位，该第一PMOS晶体管的漏极连接至该第一电感的一端、该第一可变电容的一端、该第一可变电阻的一端、及该第一NMOS晶体管的漏极，该第二PMOS晶体管的漏极连接至该第一电感的另一端、该第一可变电容的另一端、该第一可变电阻的另一端、及该第二NMOS晶体管的漏极，该第一NMOS晶体管及该第二NMOS晶体管的栅极接收一差动电压，该第一NMOS晶体管的源极连接至该第二可变电阻的一端，该第二NMOS晶体管的源极连接至该第三可变电阻的一端，该第二可变电阻的另一端连接至该第三可变电阻的另一端、及该第三NMOS晶体管的漏极，该第三NMOS晶体管的栅极连接至一第二偏压电压，该第三NMOS晶体管的源极连接至一低电位。

4.根据权利要求3所述的有源且可调整以适合多种规格的滤波装置，其中，于每一该第一滤波器、该第二滤波器、及该第三滤波器中，该第一滤波器、该第二滤波器、及该第三滤波器的第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一可变电容、第一可变电阻、第二可变电阻、第三可变电阻、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管及第三NMOS晶体管集成在同一个集成电路中。

5.根据权利要求4所述的有源且可调整以适合多种规格的滤波装置，其中，于每一该第一滤波器、该第二滤波器、及该第三滤波器中，该第二可变电阻的阻值与该第三可变电阻的阻值相同。

6.根据权利要求5所述的有源且可调整以适合多种规格的滤波装置，其中，该第一滤波器的增益为该第一滤波器的第一可变电阻的阻值比上该第一滤波器的第二可变电阻的阻值，该第二滤波器的增益为该第二滤波器的第一可变电阻的阻值比上该第二滤波器的第二可变电阻的阻值，该第三滤波器的增益为该第三滤波器的第一可变电阻的阻值比上该第三滤波器的第二可变电阻的阻值。

7.根据权利要求6所述的有源且可调整以适合多种规格的滤波装置，其中，该第一滤波器的频宽及中心频率是由该第一滤波器的第一电感、第一可变电容、及第一可变电阻所决定，该第二滤波器的频宽及中心频率是由该第二滤波器的第一电感、第一可变电容、及第一可变电阻所决定，该第三滤波器的频宽及中心频率是由该第三滤波器的第一电感、第一可变电容、及第一可变电阻所决定。

8.根据权利要求7所述的有源且可调整以适合多种规格的滤波装置，其中，该第二滤波器的中心频率小于该第一滤波器的中心频率，该第一滤波器的中心频率小于该第三滤波器的中心频率。

9.根据权利要求8所述的有源且可调整以适合多种规格的滤波装置，其中，每一该第一滤波器、该第二滤波器、及该第三滤波器的第一可变电容为一电容器组。

10.根据权利要求9所述的有源且可调整以适合多种规格的滤波装置，其中，每一该第一滤波器、该第二滤波器、及该第三滤波器的第一可变电阻、第二可变电阻、及第三可变电阻为电阻器组。