[发明专利]电源网格的最优化无效
申请号: | 201110154395.7 | 申请日: | 2011-06-09 |
公开(公告)号: | CN102280446A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 马克·F·特纳;乔纳森·W·伯恩;杰弗里·S·布朗 | 申请(专利权)人: | LSI公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F17/50 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 网格 优化 | ||
1.一种在集成电路中的全局配电网络,包括:第一导电材料层,(i)连接至一个或多个电源,并且(ii)被配置为形成网状网络的多个第一导轨;其中,所述第一导轨(a)为所述集成电路的核心逻辑的一个或多个组件供电,(b)与所述集成电路的第一轴对准,以及(c)对一个或多个参数进行配置,使得所述网状网络从所述集成电路的周边沿所述第一轴到所述集成电路的中心具有均匀电压梯度;以及
第二导电材料层,(i)连接至所述一个或多个电源,并且(ii)被配置为形成所述网状网络的多个第二导轨,其中,所述第二导轨(a)为所述核心逻辑的一个或多个组件供电,(b)与所述集成电路的第二轴对准,以及(c)对一个或多个参数进行配置,使得所述网状网络从所述集成电路的周边沿所述第二轴到所述集成电路的中心具有均匀电压梯度。
2.根据权利要求1所述的全局配电网络,其中,(i)所述多个第一导轨的一个或多个参数包含所述多个第一导轨的每个的宽度,(ii)当所述第一导轨位于更接近所述集成电路的中心时,所述多个第一导轨的每个的所述宽度变细,使得位于最接近所述集成电路的中心的第一导轨具有最细的宽度,并且最接近所述集成电路的周边的第一导轨具有最粗的宽度。
3.根据权利要求1所述的全局配电网络,其中,(i)所述多个第二导轨的所述一个或多个参数包含所述多个第二导轨中的每个的宽度,并且(ii)当第二导轨位于更接近所述集成电路的中心时,所述多个第二导轨的每个的所述宽度变细,使得位于最接近所述集成电路的中心的第二导轨具有最细的宽度,并且最接近所述集成电路的周边的第二导轨具有最宽的宽度。
4.根据权利要求1所述的全局配电网络,其中(i)所述多个第一导轨的一个或多个参数包含在所述多个第一导轨的每个之间的间距,并且(ii)在所述多个第一导轨中的每个之间的所述间距向所述集成电路的中心变大,使得位于最接近所述集成电路的中心的第一导轨在所述第一导轨之间具有最大间距,并且最接近所述集成电路的周边的第一导轨在所述第一导轨之间具有最小间距。
5.根据权利要求1所述的全局配电网络,其中(i)所述多个第二导轨的所述一个或多个参数包含在所述多个第二导轨中的每个之间的间距,并且(ii)所述多个第二导轨的每个之间的所述间距向所述集成电路的中心变大,使得位于最接近所述集成电路的中心的第二导轨在所述第二导轨之间具有最大间距,并且最接近所述集成电路的周边的第二导轨在所述第二导轨之间具有最小间距。
6.根据权利要求1所述的全局配电网络,其中,所述一个或多个参数包含所述多个第一导轨、所述多个第二导轨、或者所述多个第一导轨与所述多个第二导轨的组合的金属化密度。
7.根据权利要求1所述的全局配电网络,其中,所述全局配电网络连接至所述集成电路的基于行的底层电源网格。
8.根据权利要求1所述的全局配电网络,其中,(i)所述多个第一导轨具有非均匀的间距、非均匀的宽度、或者非均匀的间距和非均匀的宽度两者,(ii)所述多个第二导轨具有非均匀的间距、非均匀的宽度、或者非均匀的间距和非均匀的宽度两者,(iii)一个或多个所述第一导轨不在所述集成电路的整个表面上延伸,并且(iv)一个或多个所述第二导轨不在所述集成电路的整个表面上延伸。
9.一种用于对在集成电路中的全局配电网络进行优化的方法,包括:
(A)设计第一导电材料层,所述第一导电材料层(i)连接到一个或多个电源,并且(ii)被配置为形成网状网络的多个第一导轨,其中所述第一导轨(a)为所述集成电路的核心逻辑的一个或多个组件供电,并且(b)与所述集成电路的第一轴对准;
(B)设计第二导电材料层,所述第二导电材料层(i)连接到所述一个或多个电源,并且(ii)被配置为形成所述网状网络的多个第二导轨,其中,所述第二导轨(a)为所述核心逻辑的一个或多个组件供电,并且(b)与所述集成电路的第二轴对准;以及
(C)更改(i)所述第一导轨、(ii)所述第二导轨、(iii)或者所述第一导轨与所述第二导轨的组合的一个或多个参数,使得所述网状网络从所述集成电路的周边沿所述第一轴、所述第二轴或者沿所述第一轴和所述第二轴两者到所述集成电路的中心具有均匀的电压梯度。
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