[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201110154464.4 | 申请日: | 2011-06-09 |
公开(公告)号: | CN102290430A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 佐川裕志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;G09G3/32 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2010年6月16日向日本专利局提交的日本专利申请号JP 2010-137260的优先权,其全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本申请涉及一种显示装置,具体地,涉及一种能够获得更好的图像显示性能的显示装置。
背景技术
近年来,作为取代液晶显示器的显示装置,使用自发光型有机发光元件的有机EL显示器已经进入实用化。有机EL显示器是自发光型,因此与液晶显示器等相比,具有宽的视角以及对高清晰度和高速视频信号的充分响应性。
迄今为止,关于发光元件,已进行了通过控制从发光层发出的光(例如,通过引入共振器结构提高发光色的色纯度或提高发光效率)来提高显示性能的试验(例如,参见国际公开号01/39554)。例如,如图13所示,在光从与基板相对的表面(上表面)发射的顶部发光型有机发光元件中,发光部Z10具有其中从驱动晶体管ZTr1侧顺次层叠正极Z13、有机层Z14以及负极Z16并且光被正极Z13和负极Z16之间的有机层Z14多次反射的结构。这里,驱动晶体管ZTr1驱动发光部Z10,并且与信号线Z120A等一起构成像素驱动电路。另外,在图13中,参考标号Z111表示基板,参考标号Z212表示驱动晶体管ZTr1的栅极绝缘层,参考标号Z217表示由氮化硅等制成的保护层,以及参考标号Z218表示由聚酰亚胺等制成的平坦化层。此外,参考标号Z17表示作为辅助线的金属层,参考标号Z24表示开口限定绝缘层,参考标号Z18是由氮化硅等制成的保护层,以及参考标号Z19表示由透明材料制成的密封基板。
另外,在典型的有机EL显示器中,如图13中所示,有机发光元件Z10在发光区中的层压方向上是具有凹凸的立体形状,而并不是平坦形状。为此原因,如果外部光LIN入射到发光部Z10,则正反射光以外的反射光LR引起衍射现象,因而观察者由于观察者的位置而会看到不必要的虹色光。存在的问题在于,这些不必要的虹色光在像素中的有机发光元件内干涉或者相邻像素内的有机发光元件发生干涉,并被强加了一特定角度。
具体地,反射光LR的强度在满足下列条件式(1)时会增加,以及反射光LR的强度在满足下列条件式(2)时会减小。这里,m是整数值,λ是波长,P是所排列像素的周期,以及θ是反射光LR相对于正反射光的角度。
m·λ=P·sinθ (1)
(m+1/2)·λ=P·sinθ (2)
干涉的发生大大地妨碍了观察者识别原始的显示图形。
除驱动晶体管ZTr1之外,该立体形状还由位于发光部Z10下层的配线(如信号线Z120A)的存在引起。因此,如果覆盖像素驱动电路的保护层Z217或者平坦化层Z218被制成得足够厚,则平坦化层Z218的上表面形成有发光部Z10,这样可获得具有高精度的平坦化表面。因此,自然地提高了发光部Z10的平坦性。然而,在该情况下,整个装置的厚度增加,存在的问题在于比液晶显示器薄的有机EL显示器的本来优点等不能被利用。
期望提供一种薄而且能够获得更好的图像显示性能的显示装置。
发明内容
本公开涉及一种设置有包含有机层的自发光发光元件的显示装置。
在一个示例性实施方式中,一种用于抑制反射光的显示装置包括驱动电路和显示区域。在一个示例性实施方式中,显示区域包括含有第一像素的多个像素。在一个示例性实施方式中,第一像素具有第一发光元件,该第一发光元件包括具有第一层表面的第一发光部。在一个示例性实施方式中,第一像素具有第二发光元件,其包括具有不同的第二层表面的第二发光部。在一个示例性实施方式中,第一像素具有第三发光元件,其包括具有不同的第三层表面的第三发光部。
在一个示例性实施方式中,第一发光元件包括第一薄膜晶体管结构;第二发光元件包括不同的第二薄膜晶体管结构;以及第三发光元件包括不同的第三薄膜晶体管结构。在一个示例性实施方式中,每个发光元件的每个层表面基于每个不同的薄膜晶体管结构是彼此不同的。
在一个示例性实施方式中,第一发光元件包括第一金属层;第二发光元件包括不同的第二金属层;以及第三发光元件包括不同的第三金属层。在一个示例性实施方式中,每个发光元件的每个层表面基于每个不同的金属层是彼此不同的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的