[发明专利]一种基于LTCC基板的多芯片堆叠的提参测试板有效
| 申请号： | 201110154868.3 | 申请日： | 2011-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102323532A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 钟升;王艳玲;段惠玲;周煦林 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710054 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ltcc 芯片 堆叠 测试 | ||
1.一种基于LTCC基板的多芯片堆叠的提参测试板，其特征在于：包括基板、设置在基板上的第一组芯片堆叠模块、第二组芯片堆叠模块、第三组芯片堆叠模块和第四组芯片堆叠模块；所述第一组芯片堆叠模块由第一层堆叠芯片构成；所述第二组芯片堆叠模块由第一层堆叠芯片和第二层堆叠芯片由下至上堆叠构成；所述第三组芯片堆叠模块由第一层堆叠芯片、第二层堆叠芯片和第三层堆叠芯片由下至上堆叠构成；所述第四组芯片堆叠模块由第一层堆叠芯片、第二层堆叠芯片、第三层堆叠芯片和第四层堆叠芯片由下至上堆叠构成；所述基板、第一层堆叠芯片、第二层堆叠芯片、第三层堆叠芯片和第四层堆叠芯片相互之间通过键合线连接。
2.如权利要求1所述一种基于LTCC基板的多芯片堆叠的提参测试板，其特征在于：所述基板共分5层，每层又由金属层和介质层两层组成，金属层在上，介质层在下。
3.如权利要求2所述一种基于LTCC基板的多芯片堆叠的提参测试板，其特征在于：所述基板的5层自上而下分别为第一信号层S1、第一地层GND、第二信号层S2、第三信号层S3、第二地层GND。
4.如权利要求2所述一种基于LTCC基板的多芯片堆叠的提参测试板，其特征在于，所述参数如下：基板层厚为90μm；基板介质的介电常数为7.3±0.2；基板金属层厚为7.5μm；基板切割尺寸：90×90mm2。
5.如权利要求2所述一种基于LTCC基板的多芯片堆叠的提参测试板，其特征在于：所述基板金属层由银构成。
6.如权利要求2所述一种基于LTCC基板的多芯片堆叠的提参测试板，其特征在于：所述第一层堆叠芯片、第二层堆叠芯片、第三层堆叠芯片和第四层堆叠芯片为厚度为0.25mm、尺寸为15.88mm×15.88mm的薄膜构成。
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