[发明专利]一种制作声表面波传感器二氧化钛掺杂酞菁铜敏感膜的方法无效
| 申请号： | 201110155259.X | 申请日： | 2011-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102820867A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅;汪幸;刘明;周文;侯成诚;闫学锋;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 表面波 传感器 氧化 掺杂 酞菁铜 敏感 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作声表面波传感器二氧化钛掺杂酞菁铜敏感膜的方法，其特征在于，该方法是由TiO2掺杂CuPc作为敏感材料，通过混合和压制形成TiO2与CuPc混合材料，电子束蒸发该TiO2与CuPc混合材料，并剥离光刻胶形成二氧化钛掺杂酞菁铜敏感膜。
2.根据权利要求1所述的制作声表面波传感器二氧化钛掺杂酞菁铜敏感膜的方法，其特征在于，所述通过混合和压制形成TiO2与CuPc混合材料，包括：
将质量比1∶1的TiO2与CuPc在常温下进行混合，制作TiO2与CuPc混合材料；以及
用机器将TiO2与CuPc混合材料压制成型。
3.根据权利要求1所述的制作声表面波传感器二氧化钛掺杂酞菁铜敏感膜的方法，其特征在于，所述电子束蒸发该TiO2与CuPc混合材料，并剥离光刻胶形成二氧化钛掺杂酞菁铜敏感膜，包括：
在基片上涂光刻胶；
在光刻胶上电子束蒸发压制好的TiO2与CuPc混合材料，将块状TiO2与CuPc混合材料当作电子束蒸发的靶材进行蒸发；以及
将基片泡在化学试剂中使得光刻胶溶解，从而剥离光刻胶，形成二氧化钛掺杂酞菁铜敏感膜。
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