[发明专利]可变电容系统无效
申请号: | 201110155263.6 | 申请日: | 2011-06-09 |
公开(公告)号: | CN102820134A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 迪斯培司吉丝兰 | 申请(专利权)人: | 法国原子能与替代能委员会 |
主分类号: | H01G5/38 | 分类号: | H01G5/38;H01G5/011;H01G5/013 |
代理公司: | 北京市兰台律师事务所 11354 | 代理人: | 张峰 |
地址: | 法国巴黎市波*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可变电容 系统 | ||
1.一种可变电容系统,其特征在于,其包含:
一第一电极,一第二电极,一弹性可变形介电层,其中该介电层位在该第一和第二电极之间,其中一第一驻电体和该第一电极形成一第一电容器,该第一驻电体和该第二电极形成一第二电容器,该第一和该第二电容器的电容值随该介电层的变形而变化,该第一电极,该第二电极,和该第一驻电体跟随该介电层的变形,该介电层的变形使该第一和该第二电容器的电容值反向变化,该第一电极包含至少两部位可以移动以互相靠近或互相远离,该驻电体位在该第一电极的该两部位之间,其中该些部位的边缘和该第一驻电体形成该第一电容器,该第一驻电体位在该介电层的上方或内部。
2.如权利要求1所述的可变电容系统,其特征在于,该第一电极设置至少一沟槽,该第一驻电体位在该沟槽,其中该沟槽的边缘和位在该沟槽的该第一驻电体形成该第一电容器,该第一驻电体位在该介电层的上方或内部。
3.如权利要求1所述的可变电容系统,其特征在于,进一步包含具有一纵长轴的圆柱,该第一电极由沿该纵长轴缠绕的导电线路所形成,该导电线路形成一连续围圈,该第一驻电体位在两连续围圈之间。
4.如权利要求1、2或3所述的可变电容系统,其特征在于,该第二电极由固体层所形成,被该介电层所覆盖,其中该第一电极覆盖该介电层在一表面,该表面相对于该第二电极与该介电层接触的表面。
5.如权利要求3所述的可变电容系统,其特征在于,该第二电极由另一沿该纵长轴缠绕的导电线路所形成,该导电线路形成一连续围圈,其中一第二驻电体位在至少两连续围圈之间,该第一和该第二电极的围圈互相偏移,因而该第一和该第二电极在径向方向没有对齐。
6.如权利要求2所述的可变电容系统,其特征在于,该第二电极至少包含一沟槽,一第二驻电体位在该沟槽,与该第一驻电体电性相反,使得该第二电极和该第二驻电体形成具有可变电容的一第四电容器,该第一电极和该第二驻电体形成具有可变电组的一第五电容器,其中,当该介电层变形时,该第一和该第四电容器的该些电容值朝同一方向变化,该第二和该第五电容器的该些电容值朝同一方向变化。
7.如权利要求2或3所述的可变电容系统,其特征在于,该第一和/或该第二驻电体大致位在该沟槽中央,或两连续围圈大致固定的界定区域的中央。
8.如权利要求2或3所述的可变电容系统,其特征在于,该第一和/或该第二驻电体填入该沟槽,且和该沟槽的边缘接触,或者该第一和/或该第二驻电体填入该两连续围圈界定的区域中,且和该围圈接触。
9.如权利要求1至3的任一项所述的可变电容系统,其特征在于该第一和/或该第二驻电体,由该沟槽界定的该介电层的离子化所形成,例如电晕法。
10.如权利要求1至3的任一项所述的可变电容系统,其特征在于,该第一和/或该第二驻电体由粉末沉积的形式形成在该介电层上。
11.如权利要求1至3的任一项所述的可变电容系统,其特征在于,该介电层由高分子物质所形成,例如为更佳的为该第一和该第二电极可由例如铜、银、银膏(silver grease)、碳粉、金、导电高分子所形成,或在该介电层表面进行离子布值。
12.如权利要求1至3的任一项所述的可变电容系统,其特征在于,该第一和/或该第二电极具有弹性可变形的结构。
13.如权利要求12所述的可变电容系统,并结合权利要求2或6的任一项,其特征在于,该第一和/或第二电极由一组互相连结的长条所形成,该些长条形成格子结构并界定数个沟槽,每一沟槽内包含该第一和/或该第二柱电体。
14.如权利要求13所述的可变电容系统,其特征在于,该格子结构朝其平面的一方向变形时,不会或几乎不会引起该平面的另一方向的变形。
15.如权利要求14所述的可变电容系统,其特征在于,该些长条形成一并排衫木结构,并以其分支的末端电性相连。
16.如权利要求14所述的可变电容系统,其特征在于,该些长条形成多列平行的锯尺图案,其中该多列平行的锯尺图案通过联结两相邻列的多个连接长条来电性相连。
17.如权利要求13所述的可变电容系统,其特征在于,该格子结构在其平面上朝一方向的变形会引起该平面另一方向的变形。
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