[发明专利]一种低成本磷化镉量子点材料的制备方法

说明书

一、技术领域

本发明涉及一种纳米材料的制备方法，具体地说是一种低成本磷化镉量子点材料的制备方法。

二、背景技术

磷化镉是一种重要的II-V族半导体材料，由于磷化镉具有较窄的带宽(0.55eV)，较高的介电常数(5.8)，很大的波尔半径(18nm)及激子有着很轻的有效质量等优点[1-4]，可望在生物标记，荧光探针，光电转换，太阳能电池等领域中得到应用[5-8]。当半导体的尺寸小于波尔半径时，其量子尺寸效应表现明显，尺寸减小，吸收谱峰表现为蓝移。因为磷化镉有着比较小的禁带宽度[3]，因此，随着其物理尺寸的减小，可以实现从红外到可见光区域的大范围的调解，这一性质可使磷化镉在生物荧光标记，光电转换器与太阳能电池材料等诸多领域有广泛的应用前景。

但截止到目前，涉及到磷化镉量子点材料或磷化镉纳米晶体的合成方法仍是以金属有机化合物(Cd[P(SiPh₃)]₂，[MeCdPBu₂]₃，Me₂Cd and HPBu₂；Ph＝苯基，Bu＝丁基，Me＝甲基)的热分解，醇解等方法来制备，或者采用以3-3，甲基-硅烷基磷化物为磷源的热注射法合成磷化镉量子点[9-14]。它们一个共同的弱点就是前驱体非常昂贵，且运输、储藏条件苛刻，合成实验很难被放大，因而不具有产业化前景。随着磷化镉的光学性质，光电化学性质及光电器件的研究日臻完善，低成本、大批量生产的磷化镉合成工艺成为人们的关注的热点。

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三、发明内容

本发明是为了避免上述现有技术所存在的不足之处，旨在提供一种制备方法简单、成本低廉、易于产业化的低成本磷化镉量子点材料的制备方法。