[发明专利]使硅层结晶的方法及使用该方法形成薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.一种使硅层结晶的方法，所述方法包括：

在基底上形成非晶硅层；

对非晶硅层的表面执行疏水性处理，以在非晶硅层上获得疏水性表面；

在经历过疏水性处理的非晶硅层上形成金属催化剂；以及

热处理其上包括金属催化剂的非晶硅层，以使非晶硅层结晶成多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行疏水性处理包括使用含氢或含氟材料的溶液。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，含氢或含氟材料的溶液包括HF。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，执行疏水性处理还包括：在使用含氢或含氟材料的溶液进行处理之后，控制疏水性的程度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，控制疏水性的程度包括用去离子水处理非晶硅层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，执行疏水性处理包括依次执行的以下步骤：执行超纯水处理；执行稀释的氟化氢溶液处理；执行另一超纯水处理；执行又一超纯水处理；干燥。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，执行疏水性处理包括用氢等离子体或氟等离子体处理非晶硅层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，氟等离子体包括CF₄气体、CHF₃气体、C₂F₆气体、C₃F₈气体、F₂气体或NF₃气体。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，执行疏水性处理还包括：在用氢等离子体或氟等离子体进行处理之后，控制疏水性的程度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成金属催化剂包括通过物理气相沉积、原子层沉积或离子注入形成金属催化剂。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，通过原子层沉积形成金属催化剂，原子层沉积的工艺温度是160℃至240℃。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，形成金属催化剂包括形成密度为10¹¹原子/cm²至10¹⁴原子/cm²的金属催化剂。

13.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：

通过使用根据权利要求1所述的方法在基底上形成多晶硅层；

在多晶硅层上形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成栅电极；

在多晶硅层的相对的端部中形成源区和漏区；

在栅电极和栅极绝缘层上形成层间绝缘层；以及

形成源电极和漏电极，使得源电极和漏电极穿过层间绝缘层和栅极绝缘层并分别接触源区和漏区。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，执行疏水性处理包括使用含氢或含氟材料的溶液。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，执行疏水性处理包括用氢等离子体或氟等离子体处理非晶硅层。