[发明专利]固体摄像装置制造方法无效
申请号: | 201110156826.3 | 申请日: | 2009-02-18 |
公开(公告)号: | CN102214671A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 桧山晋;平野智之 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 | ||
1.一种固体摄像装置制造方法,在所述固体摄像装置中,在半导体基板上形成有检测电磁波并产生信号电荷的电荷生成部,并且在所述电荷生成部的检测面上方形成有具有负固定电荷的负电荷累积层,所述方法包括以下步骤:
在所述电荷生成部的检测面上形成能够供氧的供氧膜;
形成金属膜,使得所述金属膜覆盖所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜;以及
在不活泼气氛中对所述金属膜进行热处理,从而在所述金属膜与所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜之间形成所述金属膜的氧化物,所述氧化物用作所述负电荷累积层。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置制造方法,其中,在进行所述热处理时,使所述金属膜的氧化物的一部分结晶化,从而形成所述负电荷累积层。
3.如权利要求1所述的固体摄像装置制造方法,其中,在形成所述金属膜时,利用溅射方法来形成所述金属膜。
4.如权利要求1所述的固体摄像装置制造方法,其中,在形成所述金属膜时,将含有铪、锆、铝、钽、钛、钇和镧系元素之中的任一种的金属材料用作所述金属膜的材料。
5.如权利要求1所述的固体摄像装置制造方法,其中,在进行所述热处理时,在温度为500℃以上的氮气气氛中进行所述热处理。
6.一种固体摄像装置制造方法,在所述固体摄像装置中,在半导体基板上形成有检测电磁波并产生信号电荷的电荷生成部以及包括像素信号生成部、驱动控制器和信号处理器的周边电路,所述像素信号生成部根据由所述电荷生成部生成的信号电荷来生成像素信号,所述驱动控制器被布置在所述电荷生成部和所述像素信号生成部的周边上,并且所述驱动控制器具有将由所述像素信号生成部生成的像素信号读出到所述像素信号生成部和所述装置外部的控制电路功能,所述信号处理器处理从所述像素信号生成部读出的像素信号,在所述电荷生成部的检测面上方形成有具有负固定电荷的负电荷累积层,所述方法包括以下步骤:
在所述电荷生成部的检测面上形成能够供氧的供氧膜;
在含有除了所述电荷生成部的检测面区域之外的所述周边电路的区域中的所述半导体基板上形成不含氧的非供氧膜;
形成金属膜,使得所述金属膜覆盖所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜和含有除了所述电荷生成部的检测面区域之外的所述周边电路的区域中的所述非供氧膜;
在不活泼气氛中对所述金属膜进行热处理,从而在所述金属膜与所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜之间形成所述金属膜的氧化物,所述氧化物用作所述负电荷累积层;以及
除去在所述热处理之后留下的未氧化的所述金属膜。
7.如权利要求6所述的固体摄像装置制造方法,其中,在进行所述热处理时,使所述金属膜的氧化物的一部分结晶化,从而形成所述负电荷累积层。
8.如权利要求6所述的固体摄像装置制造方法,其中,在形成所述金属膜时,利用溅射方法来形成所述金属膜。
9.如权利要求6所述的固体摄像装置制造方法,其中,在形成所述金属膜时,将含有铪、锆、铝、钽、钛、钇和镧系元素之中的任一种的金属材料用作所述金属膜的材料。
10.如权利要求6所述的固体摄像装置制造方法,其中,在进行所述热处理时,在温度为500℃以上的氮气气氛中进行所述热处理。
11.如权利要求6所述的固体摄像装置制造方法,其中,
所述供氧膜的形成和所述非供氧膜的形成包括以下子步骤:
形成所述供氧膜,使得所述供氧膜覆盖所述电荷生成部的检测面和含有所述周边电路的所述区域;
通过使用在含有所述周边电路的所述区域中的所述供氧膜的一部分,形成所述周边电路中的晶体管的栅极电极的侧壁,同时除去在含有所述周边电路的所述区域中的所述供氧膜的其它部分;
形成所述非供氧膜,使得所述非供氧膜覆盖所述电荷生成部的检测面和含有所述周边电路的所述区域;以及
除去在所述电荷生成部的检测面上方的所述非供氧膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110156826.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多联机系统及其排空方法
- 下一篇:一种厂区办公室用空气清洁净化装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的