[发明专利]制作半导体元件的方法无效
| 申请号： | 201110157148.2 | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102832125A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 吕佐文;邓文仪;王俞仁;黄俊程;林建良;王韶韦;颜英伟;郑雅绮;詹书俨;杨建伦 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/205;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 半导体 元件 方法 | ||
1.一种制作半导体元件的方法，包含：
提供一基底，该基底上设有一栅极结构；
形成一堆叠薄膜于该基底表面并覆盖该栅极结构，且该堆叠薄膜具有一氧化层与一氮化层；
去除部分该堆叠薄膜以于该栅极结构两侧的该基底中形成二凹槽并同时于该栅极结构的侧壁形成一可去除间隙壁(disposable spacer)；以及
在该多个凹槽中形成一具有刻面的材料层，且该材料层包含硅原子。
2.如权利要求1所述的方法，其中该栅极结构包含栅极介电层以及栅极。
3.如权利要求1所述的方法，其中于形成该堆叠薄膜前另包含形成一偏位间隙壁(offset spacer)或一衬氧化层于该栅极结构的侧壁。
4.如权利要求1所述的方法，另包含进行一处理以于该氧化层及该氮化层之间形成含氮物质(nitrogen-containing substance)。
5.如权利要求4所述的方法，其中该处理包含一分耦式等离子体氮化(decoupled plasma nitridation，DPN)制作工艺。
6.如权利要求4所述的方法，其中该处理包含一快速热处理制作工艺。
7.如权利要求4所述的方法，其中该处理包含一炉管退火(furnace anneal)制作工艺。
8.如权利要求1所述的方法，另包含利用一含氯原子的前驱物来形成该氮化层。
9.如权利要求1所述的方法，其中于形成该可去除间隙壁之后及形成该材料层之前另包含进行一预清洗制作工艺。
10.如权利要求1所述的方法，另包含进行一选择性外延成长制作工艺以形成该材料层。
11.如权利要求1所述的方法，其中该材料层包含赭化硅。
12.如权利要求1所述的方法，其中该材料层包含碳化硅。
13.如权利要求1所述的方法，其中于形成该可去除间隙壁之后另包含进行一应力存储制作工艺(stress memorization technology，SMT)。
14.如权利要求1所述的方法，其中于形成该可去除间隙壁之后另包含形成一接触洞蚀刻停止层于该基底及栅极结构表面。
15.如权利要求1所述的方法，其中于形成该可去除间隙壁之后另包含：
进行一应力存储制作工艺；以及
形成一接触洞蚀刻停止层于该基底及该栅极结构表面。
16.如权利要求1所述的方法，其中于形成该材料层之后另包含去除该可去除间隙壁。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
