[发明专利]半导体发光结构

权利要求书

1.一种半导体发光结构，包括：

基板，包括有发光区及非发光区；

第二型电极层形成于该基板上，且在该发光区形成一由多个导电柱以及多个导电墙交错连接所形成的电流扩散格栅(grating)，其中每一该些导电柱和该些导电墙分别具有一平行于该基板的第一顶表面及第二顶表面；

反射层及绝缘层依序形成于该第二型电极层上，覆盖该些导电柱及该些导电墙，并使该第一及第二顶表面裸露出来；

第一型电极层、第一型半导体层、活化层依序形成于该发光区中的该绝缘层上；

第二型半导体层形成于该活化层上，并且覆盖该些导电柱及该些导电墙；以及

第一接触垫，形成于该非发光区的该第一型电极上。

2.如权利要求1所述的半导体发光结构，其中该第一型为P型，该第二型为N型。

3.如权利要求1所述的半导体发光结构，其中该第一型为N型，该第二型为P型。

4.如权利要求1～3其中的一项所述的半导体发光结构，其中该反射层是由金属层或布拉格反射层所构成。

5.如权利要求4所述的半导体发光结构，其中该电流扩散格栅是由该些导电柱和该导电墙所构成的多边形基本结构所构成。

6.如权利要求5所述的半导体发光结构，其中该多边形基本结构包括三角形、正方形、长方形、菱形、梯形或其组合。

7.如权利要求6所述的半导体发光结构，还包括在每一个该些导电柱的第一顶表面形成一第二接触垫。

8.如权利要求1所述的半导体发光结构，其中该基板为导电基板或散热基板。