[发明专利]一种在铜基体表面构建超疏水薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201110157267.8 申请日: 2011-06-13
公开(公告)号: CN102230169A 公开(公告)日: 2011-11-02
发明(设计)人: 陈宁;潘钦敏;祝青;杨胜男 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C23C18/54 分类号: C23C18/54
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 韩末洙
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 基体 表面 构建 疏水 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.一种在铜基体表面构建超疏水薄膜的方法,其特征在于一种在铜基体表面构建超疏水薄膜的方法通过以下步骤实现:一、用铜基体放入质量浓度为0.1%~30%的盐酸或质量浓度为0.1%~70%的硫酸或上述两种酸等体积混合的混合液中浸泡0.2~120min除去铜基体表面的氧化物后,用去离子水对铜基体清洗1~3次,然后再用乙醇冲洗1~3次,得到清洁铜基体;二、将硝酸银溶解在甲醇、乙醇或者丙酮中,得到溶液A;然后在溶液A中加入主链碳原子数9~20的羧酸使其溶解,得到溶液B;溶液B中,硝酸银的浓度为1~30mmol/L,羧酸的浓度为1~40mmol/L;三、将步骤一中得到的清洁铜基体放入步骤二得到的溶液B中浸泡0.5~5min,或者将步骤二得到的溶液B喷涂在步骤一中得到的清洁铜基体表面,然后进行干燥,干燥温度50℃~90℃,干燥时间0.5~48h,完成在铜基体表面构建超疏水薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种在铜基体表面构建超疏水薄膜的方法,其特征在于步骤一所述的盐酸质量浓度为1%~25%,硫酸质量浓度为1%~60%,浸泡时间为0.5~100min。

3.根据权利要求1所述的一种在铜基体表面构建超疏水薄膜的方法,其特征在于步骤一中用去离子水对基体清洗2次,然后再用乙醇冲洗2次。

4.根据权利要求1或2所述的一种在铜基体表面构建超疏水薄膜的方法,其特征在于步骤二中加入主链碳原子数10~19的羧酸。

5.根据权利要求4所述的一种在铜基体表面构建超疏水薄膜的方法,其特征在于步骤二中硝酸银的浓度为5~25mmol/L。

6.根据权利要求2或3所述的一种在铜基体表面构建超疏水薄膜的方法,其特征在于步骤二中羧酸的浓度为5~35mmol/L。

7.根据权利要求6所述的一种在铜基体表面构建超疏水薄膜的方法,其特征在于步骤三中浸泡1~4min。

8.根据权利要求6所述的一种在铜基体表面构建超疏水薄膜的方法,其特征在于步骤三中干燥温度55℃~85℃,干燥时间1~40h。

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