[发明专利]镀膜件及其制造方法

权利要求书

1.一种镀膜件，包括基体，其特征在于：该镀膜件还包括通过真空镀膜的方式依次形成于基体上的陶瓷层及色彩层；该陶瓷层主要由金属或非金属M、O及N三种元素构成，其中M为Al或Si；所述色彩层主要由金属M′、O及N三种元素构成，其中M′为Al或Zn。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：当M为Al时，该陶瓷层主要由Al₂O₃及氮固溶体组成。

3.如权利要求2所述的镀膜件，其特征在于：所述陶瓷层中Al的质量百分含量为35～42％，O的质量百分含量为50～55％，N的质量百分含量为3～15％。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：当M为Si时，该陶瓷层主要由SiO₂及氮固溶体组成。

5.如权利要求4所述的镀膜件，其特征在于：所述陶瓷层中Si的质量百分含量为30～40％，O的质量百分含量为50～55％，N的质量百分含量为5～20％。

6.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：当M′为Al时，该色彩层主要由Al₂O₃、Al单质及氮固溶体组成；当M′为Zn时，该色彩层主要由ZnO₂、Zn单质及氮固溶体组成。

7.如权利要求6所述的镀膜件，其特征在于：所述色彩层中M′的质量百分含量为80～90％，O的质量百分含量为5～9％，N的质量百分含量为1～15％。

8.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该陶瓷层的厚度为1～2μm。

9.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述色彩层的光泽度为90～106。

10.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述色彩层的色度区域于CIE LAB表色系统的L^*坐标为90至95，a^*坐标为-0.5至0.5，b^*坐标为-0.5至0.5。

11.一种镀膜件的制造方法，其包括如下步骤：

提供基体；

采用真空镀膜法，以铝、铝合金、硅或硅合金为靶材，以氧气及氮气为反应气体，在该基体的表面形成陶瓷层，该陶瓷层主要由Al、O及N三种元素构成或Si、O及N三种元素构成；

采用真空镀膜法，以铝、铝合金、锌或锌合金为靶材，以氧气及氮气为反应气体，在该陶瓷层上形成色彩层，该色彩层主要由Al、O及N三种元素构成或Zn、O及N三种元素构成。

12.如权利要求11所述的镀膜件的制造方法，其特征在于：用以形成所述陶瓷层的靶材中，铝合金靶材中铝的质量百分含量为85～90％，硅合金靶材中硅的质量百分含量为85～90％。

13.如权利要求11所述的镀膜件的制造方法，其特征在于：用以形成所述色彩层的靶材中，铝合金靶材中铝的质量百分含量为85～90％，锌合金靶材中锌的质量百分含量为85～90％。

14.如权利要求11或12所述的镀膜件的制造方法，其特征在于：形成所述陶瓷层的工艺参数为：采用磁控溅射镀膜法，设置铝靶、铝合金靶、硅靶或硅合金靶的功率为5～10kw，氧气的流量为50～200sccm、氮气的流量为80～300sccm，以氩气为工作气体，氩气的流量为100～300sccm，施加于基体的偏压为-100～-300V，镀膜温度为20～200℃，镀膜时间为10～30min。

15.如权利要求11或13所述的镀膜件的制造方法，其特征在于：形成所述色彩层的工艺参数为：采用磁控溅射镀膜法，设置铝靶、铝合金靶、硅靶或硅合金靶的功率为5～10kw，氧气的流量为50～200sccm、氮气的流量为80～300sccm，以氩气为工作气体，氩气的流量为100～300sccm，施加于基体的偏压为-100～-300V，镀膜温度为20～200℃，镀膜时间为3～20min。