[发明专利]快速分离衬底与外延层的方法无效
申请号: | 201110157417.5 | 申请日: | 2011-06-13 |
公开(公告)号: | CN102299214A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 成诗恕 | 申请(专利权)人: | 协鑫光电科技(张家港)有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;姜精斌 |
地址: | 215600 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 快速 分离 衬底 外延 方法 | ||
1.一种快速分离衬底与外延层的方法,其特征在于,包括:
取一发光二极管,该发光二极管的衬底与外延层之间具有一个薄层的可移除材料;
对该薄层的可移除材料施加能量,使得该薄层的可移除材料的状态产生变化;
通过可移除材料状态变化,使得衬底与外延层不再结合,进而使得该衬底与该外延层分离。
2.如权利要求1所述的快速分离衬底与外延层的方法,其特征在于:该薄层的可移除材料是通过蒸镀、物理沉积或化学沉积的方式形成于外延层与衬底之间。
3.如权利要求1所述的快速分离衬底与外延层的方法,其特征在于:所述可移除材料为金属、合金或无机氧化物,且其厚度为1nm至10μm。
4.如权利要求1所述的快速分离衬底与外延层的方法,其特征在于:所述对该薄层的可移除材料施加能量包括加热、照光和微波方式。
5.如权利要求1所述的快速分离衬底与外延层的方法,其特征在于:所述可移除材料的状态产生变化包括熔化、气化和分解。
6.一种快速分离衬底与外延层的方法,其特征在于,包括:
取一发光二极管,该发光二极管的衬底与外延层之间具有一个薄层的可移除材料;
对该薄层的可移除材料施加溶剂,使得该薄层的可移除材料的状态产生变化;
通过可移除材料状态变化,使得衬底与外延层不再结合,进而使得该衬底与该外延层分离。
7.如权利要求6所述的快速分离衬底与外延层的方法,其特征在于:该薄层的可移除材料是通过蒸镀、物理沉积或化学沉积的方式形成于外延层与衬底之间。
8.如权利要求6所述的快速分离衬底与外延层的方法,其特征在于:所述可移除材料为金属、合金或无机氧化物,且其厚度为1nm至10μm。
9.如权利要求6所述的快速分离衬底与外延层的方法,其特征在于:所述溶剂为蚀刻液、无机溶剂或有机溶剂。
10.如权利要求6所述的快速分离衬底与外延层的方法,其特征在于:所述可移除材料的状态产生变化包括解离、溶解和分解。
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