[发明专利]等离子膜沉积方法

权利要求书

1.一种等离子膜沉积方法，所述等离子膜沉积方法通过使通过等离子被活化的第一液相原料和第二液相原料相互作用并使所述第一液相原料凝固而在基底构件(10)的表面上沉积膜，所述方法包括以下步骤：

从等离子喷嘴(14)供应等离子化放电气体，并且从被置于所述等离子喷嘴(14)与所述基底构件(10)之间的流量调节器(12)中的第一供应部分(22)供应所述第一液相原料；

从与所述第一供应部分(22)分开的第二供应部分(20)供应所述第二液相原料；和

通过使所述第一液相原料与所述第二液相原料相互作用在所述基底构件(10)上形成膜，其中所述第一液相原料通过所述等离子化放电气体被活化并在处于液相时沉积在所述基底构件(10)上，所述第二液相原料通过所述等离子化放电气体被活化。

2.根据权利要求1所述的等离子膜沉积方法，其中，所述第一液相原料包括在大气压力下在25℃下蒸汽压力低于所述第二液相原料的蒸汽压力的物质。

3.根据权利要求2所述的等离子膜沉积方法，其中，所述第一液相原料包括分子量大于所述第二液相原料的分子量的物质。

4.根据权利要求1所述的等离子膜沉积方法，其中，所述第二液相原料和所述第一液相原料沿着从上游侧的所述等离子喷嘴(14)朝向下游侧的所述基底构件(10)的方向按顺序相继供应。

5.根据权利要求1所述的等离子膜沉积方法，其中，所述等离子化放电气体包括等离子化气相原料，所述等离子化气相原料包括至少具有与所述第一液相原料和所述第二液相原料中的至少一个相互作用的原子的气体。

6.根据权利要求5所述的等离子膜沉积方法，其中，所述等离子化气相原料、所述第二液相原料和所述第一液相原料沿着从上游侧的所述等离子喷嘴(14)朝向下游侧的所述基底构件(10)的方向按顺序相继供应。

7.根据权利要求5所述的等离子膜沉积方法，其中，所述等离子化放电气体包括所述等离子化气相原料和等离子化惰性气体的等离子化的混合气体。

8.根据权利要求7所述的等离子膜沉积方法，其中，所述等离子化气相原料、所述第二液相原料和所述第一液相原料沿着从上游侧的所述等离子喷嘴(14)朝向下游侧的所述基底构件(10)的方向按顺序相继供应。