[发明专利]Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的水浴制备方法无效
| 申请号： | 201110157583.5 | 申请日： | 2011-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102275980A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 李亮;曹萌;裴本花;沈悦;王林军 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;C03C17/22 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cu sub znsns cdsns 纳米 薄膜 水浴 制备 方法 | ||
1.一种Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于具有以下的制备过程和步骤：
a. 首先用去离子水配制一定摩尔比浓度的硫酸铜、氯化锌或氯化镉、氯化亚锡、硫代乙酰胺的混合溶液；搅拌均匀后加入一定量的乙二胺四乙酸二钠和脲溶液，分别作为络合剂和缓冲剂；然后将用酒精、丙酮、去离子水超声清洗干净的玻璃垂直悬于烧杯中；向烧杯中滴加稀盐酸溶液调节pH值，使溶液pH处于2.0~4.0之间；将密封好的烧杯放于水浴锅中加热至850C；在450转/分钟搅拌速度下反应100~200分钟；反应完毕后，将生长有Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的玻璃在Ar和H2S(5%)的气氛中5000C退火1h，最终得到高质量的Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜；
制备过程中各原料配比为：
CuSO4：ZnCl2：SnCl2：C2H5NS=（0.5~1）：（0.25~0.5）：（0.25~0.5）：1；
CuSO4：CdCl2：SnCl2：C2H5NS=（0.5~1）：（0.25~0.5）：（0.25~0.5）：1。
2.根据权利1要求所述的一种Cu2ZnSnS4和Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：所述的反应物前躯体硫酸铜可以用氯化铜、醋酸铜、氯化亚铜或者乙酰丙酮酸铜来代替。
3.根据权利1要求所述的一种Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：所述的反应物前躯体氯化锌可以用醋酸锌、油酸锌、乙酰丙酮酸锌或者硬脂酸锌来代替。
4.根据权利1要求所述的一种Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：所述的反应物前躯体氯化镉可以用醋酸镉、硫酸镉、油酸镉或者乙酰丙酮酸镉来代替。
5.根据权利1要求所述的一种Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：所述的反应物前躯体氯化亚锡可以用四氯化锡、二溴乙酰丙酮酸锡来代替。
6.根据权利1要求所述的一种Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：所述的反应物前躯体硫代乙酰胺可以用硫代硫酸钠来代替。
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